一种新型TFT器件结构及其制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201910572648.9
申请日
2019-06-28
公开(公告)号
CN110473779A
公开(公告)日
2019-11-19
发明(设计)人
官晓蓉 曾志远
申请人
申请人地址
351100 福建省莆田市涵江区涵中西路1号
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
代理机构
福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214
代理人
张明
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
TFT器件结构及其制作方法 [P]. 
黄秋平 .
中国专利 :CN105870201B ,2016-08-17
[2]
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[3]
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
一种TFT结构及制作方法 [P]. 
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中国专利 :CN111599682B ,2025-02-07
[9]
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陈宇怀 .
中国专利 :CN111681960A ,2020-09-18
[10]
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