半导体结构的制备方法及半导体结构

被引：0

申请号：

CN202211222779.2

申请日：

2022-10-08

公开(公告)号：

CN115385294A

公开(公告)日：

2022-11-25

发明(设计)人：

余维嘉

申请人：

申请人地址：

255000 山东省淄博市高新区中润大道158号MEMS产业园二期1号楼一层

IPC主分类号：

B81B702

IPC分类号：

B81C100

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

孙海杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/02 申请日:20221008
2022-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

余维嘉 .

中国专利 :CN115385294B ,2024-12-17

[2]

半导体结构、半导体装置及半导体结构的制备方法 [P].

方羊 ;

卢志远 ;

樊园 ;

周浩磊 ;

全昌镐 .

中国专利 :CN120933271A ,2025-11-11

[3]

半导体结构制备方法及半导体结构 [P].

钱忠健 ;

陈晓亮 ;

陈天 .

中国专利 :CN114582793A ,2022-06-03

[4]

制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件 [P].

杨国文 ;

惠利省 .

中国专利 :CN114783869A ,2022-07-22

[5]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

卢浩然 ;

刘煜 ;

葛延栋 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN118039565A ,2024-05-14

[6]

半导体结构、半导体结构的制备方法及半导体器件 [P].

谷强 ;

郭宏瑞 ;

韩为鹏 ;

黄其伟 .

中国专利 :CN115050750B ,2025-02-25

[7]

半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法 [P].

吴保润 ;

刘忠明 ;

杨孝东 .

中国专利 :CN118159023A ,2024-06-07

[8]

半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法 [P].

刘洋浩 ;

徐朋辉 ;

尹国旭 ;

刘涛 ;

薛鹍 ;

王宁 .

中国专利 :CN121194461A ,2025-12-23

[9]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

葛延栋 ;

卢浩然 ;

孙嘉诚 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN118039568A ,2024-05-14

[10]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

褚衍邦 ;

卢浩然 ;

王润声 ;

黄如 .

中国专利 :CN119400751A ,2025-02-07

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