有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910047888.3

申请日：

2009-03-20

公开(公告)号：

CN101525533A

公开(公告)日：

2009-09-09

发明(设计)人：

何前军施剑林陈雨崔方明

申请人：

申请人地址：

200050上海市定西路1295号

IPC主分类号：

C09K1106

IPC分类号：

C09K1159

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-03-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09K 11/06 申请日:20090320 授权公告日:20130417 终止日期:20180320
2009-09-09	公开	公开
2013-04-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种棒状有序介孔二氧化硅纳米材料及其制备方法 [P].

何前军 ;

施剑林 ;

郭利民 ;

崔方明 .

中国专利 :CN101514001A ,2009-08-26

[2]

有序双介孔二氧化硅材料及其制备方法 [P].

安霞 ;

胡伟涛 ;

吴旭 ;

谢鲜梅 .

中国专利 :CN103663473B ,2014-03-26

[3]

介孔二氧化硅/石墨烯/介孔二氧化硅复合材料及其制备 [P].

赵东元 ;

刘玉普 ;

朱洪伟 .

中国专利 :CN109384243A ,2019-02-26

[4]

荧光介孔二氧化硅纳米微粒的制备方法及应用 [P].

吕长利 ;

曲颖 ;

付玉芹 ;

何瑶 .

中国专利 :CN102320612A ,2012-01-18

[5]

介孔二氧化硅纳米半球材料的制备方法 [P].

赵东元 ;

朱洪伟 ;

刘玉普 .

中国专利 :CN108439419A ,2018-08-24

[6]

一种有序介孔二氧化硅材料及其制备方法 [P].

韩宝航 ;

毛立娟 ;

祖胜臻 .

中国专利 :CN102285659A ,2011-12-21

[7]

单分散球形介孔二氧化硅纳米材料及制备方法 [P].

朱桂茹 ;

包孟如 ;

高从堦 .

中国专利 :CN102249248A ,2011-11-23

[8]

一种磁性荧光介孔二氧化硅复合纳米材料及其制备方法 [P].

曹全梁 ;

陈竞舸 ;

韩小涛 ;

李亮 .

中国专利 :CN111423880A ,2020-07-17

[9]

水解稳定的介孔二氧化硅材料及其制备方法 [P].

M.维登迈尔 ;

T.皮尔茨 .

中国专利 :CN106044779A ,2016-10-26

[10]

介孔二氧化硅及其制备方法 [P].

曾琦琪 ;

赵斌 ;

刘光武 ;

何丹农 .

中国专利 :CN103738969B ,2014-04-23

← 1 2 3 4 5 →