一种三元正极材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810721251.7
申请日
2018-07-03
公开(公告)号
CN108899516A
公开(公告)日
2018-11-27
发明(设计)人
孔令涌 陈彩凤 尚伟丽 陈燕玉 任诚
申请人
申请人地址
528000 广东省佛山市高明区明城镇桥头路1号
IPC主分类号
H01M436
IPC分类号
H01M4505 H01M4525 H01M462 H01M100525
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
郝传鑫;熊永强
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种三元正极材料及其制备方法 [P]. 
李郭威 ;
刘星 ;
高伟 ;
王宗凡 ;
杨智敏 ;
李国啸 ;
闵长青 .
中国专利 :CN118248852A ,2024-06-25
[2]
三元正极材料及其制备方法 [P]. 
陈丹丹 ;
张耀 ;
李鲲 .
中国专利 :CN108011098A ,2018-05-08
[3]
一种三元正极材料及其制备方法 [P]. 
胡渊 ;
王庆莉 ;
冯长运 ;
王宇航 ;
张培芸 .
中国专利 :CN119306196A ,2025-01-14
[4]
改性三元正极材料及其制备方法 [P]. 
李琪 ;
陈德贤 ;
吕菲 ;
徐宁 .
中国专利 :CN115101728A ,2022-09-23
[5]
一种疏水高镍三元正极材料及其制备方法 [P]. 
崔日俊 ;
李国敏 .
中国专利 :CN112436110B ,2021-03-02
[6]
一种三元正极材料及其制备方法 [P]. 
汪宇 ;
高玉仙 ;
陈方 ;
龙君君 .
中国专利 :CN119275265A ,2025-01-07
[7]
一种三元正极材料及其制备方法 [P]. 
刘会基 .
中国专利 :CN115626668A ,2023-01-20
[8]
一种三元正极材料及其制备方法 [P]. 
胡渊 ;
张培芸 ;
王庆莉 ;
冯长运 ;
王宇航 .
中国专利 :CN118919636A ,2024-11-08
[9]
一种三元正极材料及其制备方法 [P]. 
刘会基 .
中国专利 :CN115626668B ,2024-05-07
[10]
表面包覆型三元正极材料及其制备方法 [P]. 
张会斌 ;
赵洪东 ;
牛龙伟 ;
于文倩 ;
王瑛 ;
赵成龙 .
中国专利 :CN106941162B ,2017-07-11