氧化镁烧结体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180018437.2

申请日：

2011-04-11

公开(公告)号：

CN102822113A

公开(公告)日：

2012-12-12

发明(设计)人：

龟井忠辅辻田卓司桥本润岛村隆之后藤真志

申请人：

申请人地址：

日本兵库县

IPC主分类号：

C04B3501

IPC分类号：

C04B35622 C23C1424 H01J902 H01J1140

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101389920783 IPC(主分类):C04B 35/01 专利申请号:2011800184372 申请日:20110411
2015-04-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714130855 IPC(主分类):C04B 35/01 专利申请号:2011800184372 申请公布日:20121212
2014-03-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101698340847 IPC(主分类):C04B 35/01 专利申请号:2011800184372 变更事项:申请人变更前权利人:达泰豪化学工业株式会社变更后权利人:达泰豪化学工业株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本兵库县变更后权利人:日本兵库县变更事项:申请人变更前权利人:松下电器产业株式会社变更后权利人:无登记生效日:20140220
2012-12-12	公开	公开

共 50 条

[1]

溅射用烧结体氧化镁靶及其制造方法 [P].

久野晃 ;

中村祐一郎 .

中国专利 :CN103814152A ,2014-05-21

[2]

单晶氧化镁及其制造方法 [P].

东淳生 ;

川口祥史 ;

国重正明 .

中国专利 :CN101146936A ,2008-03-19

[3]

多晶氧化镁材料及其制造方法和氧化镁膜的制造方法 [P].

植木明 ;

增田彰 ;

高崎薰 ;

財田真人 .

中国专利 :CN101634010A ,2010-01-27

[4]

氧化镁颗粒熔接体及其制造方法 [P].

上田祐司 ;

吉松良 .

日本专利 :CN120418202A ,2025-08-01

[5]

氧化镁颗粒及其制造方法 [P].

吉松良 ;

荒濑隆 ;

上田祐司 ;

西田直人 .

日本专利 :CN118510725A ,2024-08-16

[6]

球状氧化镁及其制造方法 [P].

小西武 ;

竹垣希 ;

大崎善久 ;

近泽智文 ;

斋藤彰范 ;

森田勇辉 .

中国专利 :CN110167882A ,2019-08-23

[7]

氧化镁单晶蒸镀材料及其制造方法 [P].

东*淳生 ;

川口祥史 ;

国重正明 .

中国专利 :CN101107380B ,2008-01-16

[8]

氧化镁单晶蒸镀材料及其制造方法 [P].

东淳生 ;

川口祥史 ;

国重正明 .

中国专利 :CN101124347A ,2008-02-13

[9]

氧化镁蒸镀材料 [P].

植木明 ;

增田彰 ;

加藤裕三 .

中国专利 :CN100582288C ,2005-04-27

[10]

氧化镁微粉及其制造方法 [P].

植木明 ;

加藤裕三 .

中国专利 :CN101811708A ,2010-08-25

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