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半导体结构及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110759799.2
申请日：
2021-07-05
公开(公告)号：
CN113675142A
公开(公告)日：
2021-11-19
发明(设计)人：
黄娟娟 白杰
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L218238
IPC分类号：
H01L27092 H01L218242 H01L27108
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
孙佳胤;陈丽丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-12-07 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20210705
2021-11-19 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN117581381A ,2024-02-20
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
陈海波 .
中国专利 :CN115701212A ,2023-02-07
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN111627818A ,2020-09-04
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张青淳 .
中国专利 :CN112635402B ,2024-08-30
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
卢经文 ;
王晓玲 .
中国专利 :CN115810578B ,2025-09-26
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
江文涌 .
中国专利 :CN112736036B ,2024-10-18
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴晗 .
中国专利 :CN113517289A ,2021-10-19
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
杨波 .
中国专利 :CN112864096B ,2021-05-28
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王恒宇 ;
曹雪婷 ;
李阳 ;
庞洪荣 ;
仇峰 .
中国专利 :CN119922974A ,2025-05-02
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
卢经文 .
中国专利 :CN113871342A ,2021-12-31
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