一种精确控制SiC一维纳米材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510511060.4

申请日：

2015-08-19

公开(公告)号：

CN105129803B

公开(公告)日：

2015-12-09

发明(设计)人：

杨为佑陈善亮王霖高凤梅杨祚宝

申请人：

申请人地址：

315000 浙江省宁波市镇海区风华路201号

IPC主分类号：

C01B32956

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243

代理人：

张向飞

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C01B 32/956 变更事项:专利权人变更前:宁波工程学院变更后:宁波工程学院变更事项:地址变更前:315000 浙江省宁波市镇海区风华路201号变更后:315000 浙江省宁波市翠柏路89号
2018-09-14	授权	授权
2016-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640708785 IPC(主分类):C01B 31/36 专利申请号:2015105110604 申请日:20150819
2015-12-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SiC一维纳米材料及其应用 [P].

杨为佑 ;

陈善亮 ;

王霖 ;

高凤梅 ;

杨祚宝 .

中国专利 :CN105133021A ,2015-12-09

[2]

一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射材料的制备方法 [P].

李镇江 ;

宋冠英 ;

段振亚 ;

李伟东 ;

孟阿兰 .

中国专利 :CN104867799A ,2015-08-26

[3]

一种ZnO一维纳米材料的制备方法 [P].

王连英 ;

章定恒 ;

何静 .

中国专利 :CN101805012A ,2010-08-18

[4]

一种合成Si基一维纳米材料的方法 [P].

谢志鹏 ;

杨为佑 ;

苗赫濯 ;

安立南 .

中国专利 :CN1312028C ,2006-01-25

[5]

一维纳米材料的制备方法 [P].

章桥新 ;

张佳明 .

中国专利 :CN101126165B ,2008-02-20

[6]

一种磷化硼一维纳米材料的制备方法 [P].

许军旗 ;

王其尚 ;

付灿 ;

许靖 .

中国专利 :CN108046225B ,2018-05-18

[7]

一种一维纳米材料的观测方法 [P].

武文赟 ;

李东琦 ;

张金 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN109425591A ,2019-03-05

[8]

一种二维纳米材料的制备方法及二维纳米材料 [P].

黄辉 ;

邢旺 .

中国专利 :CN106186071A ,2016-12-07

[9]

机械剪切一维纳米材料的方法 [P].

张亚非 ;

刘丽月 .

中国专利 :CN1974020A ,2007-06-06

[10]

ZnO一维纳米材料的制备方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN106517306A ,2017-03-22

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