磁敏传感器阵列及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510040154.4

申请日：

2005-05-20

公开(公告)号：

CN1694274A

公开(公告)日：

2005-11-09

发明(设计)人：

孔德义张东风梅涛倪林张正勇陶永春单建华孙磊

申请人：

申请人地址：

230031安徽省合肥市西郊董铺1130信箱

IPC主分类号：

H01L4300

IPC分类号：

G01R3306 G11B537

代理机构：

安徽省合肥新安专利代理有限责任公司

代理人：

赵晓薇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-31	授权	授权
2005-11-09	公开	公开
2006-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583617124 IPC(主分类):H01L 43/00 专利号:ZL2005100401544 申请日:20050520 授权公告日:20071031 终止日期:20130520
2009-01-21	专利实施许可合同的备案	专利实施许可合同的备案合同备案号:2008320000715 让与人:中国科学院合肥物质科学研究院受让人:扬州奥力威传感器有限公司发明名称:磁敏传感器阵列及其制造方法申请日:20050520 授权公告日:20071031 许可种类:独占许可备案日期:2008.10.9 合同履行期限:2007.12.10至2013.12.9合同变更

共 50 条

[1]

磁敏传感器 [P].

陈立民 .

中国专利 :CN2241345Y ,1996-11-27

[2]

磁敏传感器 [P].

张年容 ;

陈剑 ;

俞方 ;

朱云 ;

郑主惠 ;

周卫琴 .

中国专利 :CN201247067Y ,2009-05-27

[3]

磁敏传感器 [P].

姚印方 .

中国专利 :CN2032727U ,1989-02-15

[4]

磁敏传感器 [P].

刘一凡 ;

诸水龙 .

中国专利 :CN2208697Y ,1995-09-27

[5]

磁传感器制造方法、磁体阵列及其制造方法 [P].

大桥俊幸 ;

相曾功吉 .

中国专利 :CN100536188C ,2005-11-09

[6]

磁传感器及其制造方法 [P].

片冈诚 ;

角田胜己 ;

山县曜 ;

金山裕一 .

中国专利 :CN101421635B ,2009-04-29

[7]

磁传感器及其制造方法 [P].

飞冈孝明 ;

海老原美香 ;

高桥宽 ;

岸松雄 ;

高浜未英 .

中国专利 :CN107192969A ,2017-09-22

[8]

磁传感器及其制造方法 [P].

飞冈孝明 ;

海老原美香 ;

高桥宽 ;

岸松雄 ;

高浜未英 .

中国专利 :CN107192406A ,2017-09-22

[9]

磁传感器及其制造方法 [P].

内藤宽 ;

佐藤秀树 ;

涌井幸夫 ;

大村昌良 .

中国专利 :CN101142494B ,2008-03-12

[10]

磁传感器及其制造方法 [P].

飞冈孝明 ;

海老原美香 .

中国专利 :CN105929344A ,2016-09-07

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