一种基于铟砷锑(InAsSb)材料的双色红外探测器的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201611252668.0
申请日
2016-12-30
公开(公告)号
CN106711249B
公开(公告)日
2017-05-24
发明(设计)人
郝瑞亭 任洋 郭杰 刘思佳 赵其琛 王书荣 常发冉 刘欣星
申请人
申请人地址
650500 云南省昆明市呈贡区聚贤街768号云南师范大学太阳能研究所
IPC主分类号
H01L310304
IPC分类号
H01L310352 H01L31101 H01L3111 H01L3118 B82Y3000 B82Y4000
代理机构
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共 50 条
[1]
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