半导体存储装置以及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611258003.0

申请日：

2016-12-30

公开(公告)号：

CN108269805A

公开(公告)日：

2018-07-10

发明(设计)人：

张峰溢邹世芳李甫哲蔡建成黄丰铭

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20161230
2018-07-10	公开	公开
2021-06-08	授权	授权
2021-05-18	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/108 变更事项:申请人变更前:联华电子股份有限公司变更后:联华电子股份有限公司变更事项:地址变更前:中国台湾新竹市新竹科学工业园区变更后:中国台湾新竹市变更事项:申请人变更前:福建省晋华集成电路有限公司变更后:福建省晋华集成电路有限公司

共 50 条

[1]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

王嫈乔 ;

冯立伟 ;

何建廷 .

中国专利 :CN108389863A ,2018-08-10

[2]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

王嫈乔 ;

冯立伟 ;

何建廷 ;

吕文杰 ;

刘立伟 .

中国专利 :CN108573926A ,2018-09-25

[3]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

永井享浩 .

中国专利 :CN110061000B ,2019-07-26

[4]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

林哲平 ;

王永铭 ;

钟定邦 ;

詹电鍼 ;

詹书俨 .

中国专利 :CN108364911A ,2018-08-03

[5]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

吴姿锦 ;

刘玮鑫 ;

陈意维 ;

张家隆 ;

李瑞珉 ;

陈柏均 ;

冯立伟 ;

王嫈乔 ;

吕文杰 ;

何建廷 ;

蔡综颖 ;

陈凯评 .

中国专利 :CN108735744A ,2018-11-02

[6]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

陈志容 ;

帅宏勋 .

中国专利 :CN114068562B ,2025-10-17

[7]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

刘玮鑫 ;

黄承栩 ;

李瑞珉 ;

陈意维 .

中国专利 :CN110047832B ,2019-07-23

[8]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

吴柏翰 ;

张峰溢 ;

李甫哲 ;

吕文杰 .

中国专利 :CN111627910A ,2020-09-04

[9]

半导体存储装置以及其制作方法 [P].

陈志容 ;

帅宏勋 .

中国专利 :CN114068562A ,2022-02-18

[10]

半导体存储装置及其制作方法 [P].

郭鹏 ;

王远保 .

中国专利 :CN114068556A ,2022-02-18

← 1 2 3 4 5 →