一种一硫化锗薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710813264.2

申请日：

2017-09-11

公开(公告)号：

CN107620103B

公开(公告)日：

2018-01-23

发明(设计)人：

贾红王欣月刘中利李岐李晨郑浩然

申请人：

申请人地址：

471000 河南省洛阳市洛龙区龙门路71号

IPC主分类号：

C25D906

IPC分类号：

代理机构：

浙江千克知识产权代理有限公司 33246

代理人：

单燕君

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-24	授权	授权
2018-02-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 9/06 申请日:20170911
2018-01-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二硫化钛薄膜的制备方法 [P].

张伟英 ;

李岩 ;

周毅平 ;

胡晓柯 ;

付文文 ;

李丹阳 ;

范一丹 ;

李钊 ;

杨海峰 .

中国专利 :CN109023484A ,2018-12-18

[2]

一种硒化锗薄膜及其制备方法 [P].

贾红 ;

李晨 ;

李歧 ;

郑浩然 ;

刘中利 ;

靳瑞敏 .

中国专利 :CN107740150A ,2018-02-27

[3]

一种自支撑锗薄膜的制备方法及锗薄膜 [P].

崔积适 .

中国专利 :CN109920723A ,2019-06-21

[4]

一种锗单质薄膜的制备方法 [P].

孙志梅 ;

萨百晟 ;

王振兴 ;

周健 ;

潘元春 .

中国专利 :CN102560573A ,2012-07-11

[5]

一种硫化锌薄膜的制备方法 [P].

高大元 ;

薛培龙 .

中国专利 :CN106118634A ,2016-11-16

[6]

一种高硬度折射率可变的碳化锗薄膜的制备方法 [P].

孙鹏 ;

张锋 ;

季一勤 ;

刘华松 ;

庄克文 ;

冷健 ;

杨明 .

中国专利 :CN104480436A ,2015-04-01

[7]

三磷化锗纳米片的制备方法及三磷化锗薄膜的应用 [P].

杨兵超 ;

陈欣 ;

刘晓兵 ;

孙海瑞 ;

闫苗苗 ;

孙秀杰 .

中国专利 :CN119551636B ,2025-09-09

[8]

三磷化锗纳米片的制备方法及三磷化锗薄膜的应用 [P].

杨兵超 ;

陈欣 ;

刘晓兵 ;

孙海瑞 ;

闫苗苗 ;

孙秀杰 .

中国专利 :CN119551636A ,2025-03-04

[9]

应变锗薄膜的制备方法 [P].

刘佳磊 ;

梁仁荣 ;

王敬 ;

许军 ;

刘志弘 .

中国专利 :CN101246819B ,2008-08-20

[10]

碳化锗薄膜的制备方法 [P].

戴辉 ;

尹士平 ;

刘克武 ;

王奎 ;

郭晨光 .

中国专利 :CN115679270A ,2023-02-03

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