一种高介电常数电容器材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010834081.0

申请日：

2020-08-18

公开(公告)号：

CN112159222A

公开(公告)日：

2021-01-01

发明(设计)人：

李孔俊曾勇何大强

申请人：

申请人地址：

413000 湖南省益阳市高新技术产业区东部新区

IPC主分类号：

C04B35465

IPC分类号：

C04B35622 C01G3300 C01G2300 H01G410

代理机构：

安化县梅山专利事务所 43005

代理人：

夏赞希

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-01	公开	公开
2021-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/465 申请日:20200818

共 50 条

[1]

一种高介电常数电容器材料及其制备方法 [P].

陈志高 .

中国专利 :CN112341835A ,2021-02-09

[2]

高介电常数陶瓷电容器材料及其制造方法 [P].

李启云 .

中国专利 :CN106927821A ,2017-07-07

[3]

一种超高介电常数半导体电容器材料及其制备方法 [P].

王宁章 ;

马玉田 ;

沙沙 .

中国专利 :CN101549998A ,2009-10-07

[4]

具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法 [P].

范润华 ;

解培涛 ;

张子栋 ;

刘峣 .

中国专利 :CN108570160B ,2018-09-25

[5]

一种铅基高介电常数电容器介质材料及其制备方法 [P].

靳立 ;

罗文汀 ;

魏晓勇 .

中国专利 :CN107473743A ,2017-12-15

[6]

高介电常数电容器粉体材料的制备方法 [P].

王静 ;

宋林华 ;

李刚 ;

丁宇 ;

贾光 ;

王利勇 ;

王婷薇 ;

姚浩 .

中国专利 :CN103496976B ,2014-01-08

[7]

一种高介电常数的多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法 [P].

李永祥 ;

苗纪远 ;

刘志甫 .

中国专利 :CN106145932B ,2016-11-23

[8]

无铅高介电常数多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

柳亚然 ;

于经洋 ;

张宁 ;

陈俊晓 .

中国专利 :CN104045341A ,2014-09-17

[9]

介电常数、温度稳定型多层陶瓷电容器材料及其制备方法 [P].

王晓慧 ;

陈仁政 ;

桂治轮 ;

李詜 ;

李龙土 .

中国专利 :CN1172321C ,2003-02-19

[10]

一种高介电常数陶瓷电容器瓷料及其制造方法 [P].

杨春玲 .

中国专利 :CN105801111A ,2016-07-27

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