碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件的制造方法

被引：0

申请号：

CN202180010974.6

申请日：

2021-01-19

公开(公告)号：

CN115003866A

公开(公告)日：

2022-09-02

发明(设计)人：

伊东洋典西口太郎樱田隆

申请人：

申请人地址：

日本大阪

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2520 H01L21336 H01L2166 H01L2912 H01L29739 H01L2978

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

田喜庆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-02	公开	公开
2022-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20210119

共 50 条

[1]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

伊东洋典 ;

西口太郎 ;

樱田隆 .

日本专利 :CN115003866B ,2024-05-03

[2]

碳化硅衬底、碳化硅外延衬底以及碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

椎原贵洋 ;

冲田恭子 .

日本专利 :CN121127635A ,2025-12-12

[3]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

日本专利 :CN112335057B ,2024-06-28

[4]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

中国专利 :CN112335057A ,2021-02-05

[5]

碳化硅衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法 [P].

田中聪 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

松岛彰 ;

久保田良辅 ;

冲田恭子 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN105164322A ,2015-12-16

[6]

碳化硅衬底、碳化硅半导体器件和制造碳化硅衬底的方法 [P].

日吉透 .

中国专利 :CN105762175A ,2016-07-13

[7]

碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

宫濑贵也 ;

堀勉 .

中国专利 :CN112074928A ,2020-12-11

[8]

碳化硅外延衬底和碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

神原健司 ;

伊东洋典 ;

堀勉 .

日本专利 :CN112470255B ,2024-03-19

[9]

碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

堀勉 .

中国专利 :CN109791879A ,2019-05-21

[10]

碳化硅外延衬底及制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

伊东洋典 ;

西口太郎 ;

平塚健二 .

中国专利 :CN108463871A ,2018-08-28

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