利用多晶硅、单晶硅切割废料制备氮化硅/碳化硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410223555.2

申请日：

2014-05-26

公开(公告)号：

CN103979539B

公开(公告)日：

2014-08-13

发明(设计)人：

李文魁陈飞洋陈智琴罗珊珊

申请人：

申请人地址：

330013 江西省南昌市昌北经济开发区枫林大道605号

IPC主分类号：

C01B3136

IPC分类号：

C01B21068

代理机构：

南昌新天下专利商标代理有限公司 36115

代理人：

施秀瑾

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-05	授权	授权
2014-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586828912 IPC(主分类):C01B 31/36 专利申请号:2014102235552 申请日:20140526
2014-08-13	公开	公开
2019-05-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 31/36 申请日:20140526 授权公告日:20161005 终止日期:20180526

共 50 条

[1]

由单晶硅和多晶硅切割废料中回收硅和碳化硅的方法 [P].

郭菁 ;

邢鹏飞 ;

任存治 ;

庄艳歆 ;

涂赣峰 .

中国专利 :CN101941699A ,2011-01-12

[2]

一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法 [P].

张国华 ;

吴跃东 ;

周国治 .

中国专利 :CN105293498A ,2016-02-03

[3]

多孔氮化硅-碳化硅复合陶瓷的制备方法 [P].

章波 ;

郭元 .

中国专利 :CN108821774B ,2020-12-15

[4]

一种利用金刚石线切割多晶硅废料制备氮化硅的方法 [P].

张国华 ;

侯勇 .

中国专利 :CN107365156A ,2017-11-21

[5]

在单晶硅或多晶硅上制备碳化硅复合涂层的化学气相沉积方法 [P].

唐明强 ;

刘厚盛 ;

崔新宇 ;

王吉强 ;

沈艳芳 ;

熊天英 .

中国专利 :CN112647055A ,2021-04-13

[6]

晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法 [P].

罗绍华 ;

耿桂宏 ;

陈宇红 .

中国专利 :CN103232245A ,2013-08-07

[7]

利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法 [P].

胡海龙 ;

曾宇平 ;

左开慧 ;

夏咏锋 ;

姚东旭 ;

孙庆波 .

中国专利 :CN104150910B ,2014-11-19

[8]

利用硅切割废砂浆的氮化硅结合碳化硅耐火材料制备工艺 [P].

汪炜喆 ;

柯茜 ;

张梦龙 .

中国专利 :CN118598679A ,2024-09-06

[9]

一种回收单/多晶硅切割废料浆中金属硅与碳化硅的方法 [P].

尤晶 ;

王耀武 .

中国专利 :CN104817089A ,2015-08-05

[10]

一种单晶硅切割废料和热场废弃石墨制备碳化硅的方法 [P].

陈正杰 ;

胡盼盼 ;

胡议友 ;

张永航 ;

胡月飞 ;

马文会 ;

张亚坤 ;

李绍元 ;

伍继君 .

中国专利 :CN120793930A ,2025-10-17

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