二硫化钼减磨材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810088267.5
申请日
2008-04-29
公开(公告)号
CN101429420A
公开(公告)日
2009-05-13
发明(设计)人
殷国忠
申请人
申请人地址
213175江苏省常州市武进区礼嘉工业园
IPC主分类号
C09K314
IPC分类号
F16D6902
代理机构
常州市维益专利事务所
代理人
王凌霄
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
二硫化钼纳米花材料及其制备方法、二硫化钼纳米花负极材料及其制备方法以及电池 [P]. 
张凯 ;
詹世英 ;
尚永亮 ;
李海军 ;
蔡惠群 .
中国专利 :CN109721105A ,2019-05-07
[2]
二硫化钼基复合材料及其制备方法和应用 [P]. 
刘碧录 ;
张弛 ;
罗雨婷 ;
成会明 .
中国专利 :CN111389434A ,2020-07-10
[3]
一种二硫化钼-碳棒制备方法、二硫化钼-碳棒掺杂改性PEEK材料及其制备方法 [P]. 
莫纯绍 ;
蓝建勇 ;
李小磊 ;
伍德民 .
中国专利 :CN118440399B ,2024-09-03
[4]
一种二硫化钼-碳棒制备方法、二硫化钼-碳棒掺杂改性PEEK材料及其制备方法 [P]. 
莫纯绍 ;
蓝建勇 ;
李小磊 ;
伍德民 .
中国专利 :CN118440399A ,2024-08-06
[5]
一种二硫化钼纳米材料及其制备方法 [P]. 
樊小强 ;
严涵 ;
付汉敏 ;
李文 ;
朱旻昊 .
中国专利 :CN108640154A ,2018-10-12
[6]
一种氟化二硫化钼材料及其制备方法 [P]. 
刘向阳 ;
樊坤 ;
刘嘉翔 ;
何静怡 ;
李想 ;
卞毛奇 ;
赵启尧 ;
王旭 ;
刘昌莉 .
中国专利 :CN118651892B ,2025-12-16
[7]
一种氟化二硫化钼材料及其制备方法 [P]. 
刘向阳 ;
樊坤 ;
刘嘉翔 ;
何静怡 ;
李想 ;
卞毛奇 ;
赵启尧 ;
王旭 ;
刘昌莉 .
中国专利 :CN118651892A ,2024-09-17
[8]
高晶格间距二硫化钼材料及其制备方法、负极和电池 [P]. 
高克盛 ;
郭庆敏 .
中国专利 :CN117361629A ,2024-01-09
[9]
多层二硫化钼材料的制备方法 [P]. 
郭兴忠 ;
王子晨 ;
梁浩 ;
杨辉 .
中国专利 :CN106629852B ,2017-05-10
[10]
二硫化钼压电材料的制备方法及其应用 [P]. 
聂纯阳 ;
汪月晗 .
中国专利 :CN118084060A ,2024-05-28