功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410019521.1

申请日：

2014-01-16

公开(公告)号：

CN103928408A

公开(公告)日：

2014-07-16

发明(设计)人：

哈特姆特·库拉斯

申请人：

申请人地址：

德国纽伦堡

IPC主分类号：

H01L23049

IPC分类号：

H01L2348 H01L2336 H01L2160

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

邹璐;安翔

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-27	授权	授权
2015-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640135177 IPC(主分类):H01L 23/049 专利申请号:2014100195211 申请日:20140116
2014-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

M·路德维希 .

中国专利 :CN113690192A ,2021-11-23

[2]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

A·阿伦斯 ;

J·赫格尔 ;

M·霍伊 .

中国专利 :CN104517952B ,2015-04-15

[3]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

E·菲尔古特 ;

M·格鲁贝尔 ;

O·霍尔菲尔德 ;

M·莱杜特克 .

中国专利 :CN107871672B ,2018-04-03

[4]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

R·诺特尔曼 ;

A·阿伦斯 ;

M·埃布利 ;

A·赫布兰特 ;

U·M·G·施瓦策尔 ;

A·塔克卡奇 .

中国专利 :CN113903727A ,2022-01-07

[5]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

I·尼基廷 ;

D·阿勒斯 ;

A·格拉斯曼 ;

A·乌勒曼 .

中国专利 :CN111312678A ,2020-06-19

[6]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

克里斯蒂安·约布尔 ;

于尔根·斯蒂格 .

中国专利 :CN103681552B ,2014-03-26

[7]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

M·路德维希 .

德国专利 :CN113690192B ,2025-09-23

[8]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

英戈·博根 ;

克里斯蒂安·约布尔 ;

帕特里克·格拉施尔 ;

约恩·格罗斯曼 ;

克里斯蒂安·沃尔特 .

中国专利 :CN104078428A ,2014-10-01

[9]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

P.坎沙特 ;

O.基尔施 ;

A.勒里希 ;

T.施托尔策 .

中国专利 :CN102347295B ,2012-02-08

[10]

功率半导体模块和制造功率半导体模块的方法 [P].

A·阿尔特豪斯 ;

A·格罗夫 ;

C·利布尔 .

德国专利 :CN119208305A ,2024-12-27

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