半导体发光结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210279540.9

申请日：

2012-08-07

公开(公告)号：

CN103579431A

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

张源孝刘恒

申请人：

申请人地址：

开曼群岛大开曼岛阿格兰屋邮政信箱309

IPC主分类号：

H01L3316

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

上海波拓知识产权代理有限公司 31264

代理人：

杨波

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-31	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738388260 IPC(主分类):H01L 33/16 专利申请号:2012102795409 申请公布日:20140212
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101578336683 IPC(主分类):H01L 33/16 专利申请号:2012102795409 申请日:20120807
2014-02-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光结构及其制造方法 [P].

张源孝 .

中国专利 :CN103515500A ,2014-01-15

[2]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

朴炯兆 ;

姜大成 ;

孙孝根 .

中国专利 :CN101796661A ,2010-08-04

[3]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

崔镇植 .

中国专利 :CN102569560B ,2012-07-11

[4]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

李守烈 ;

李进馥 ;

朱铜赫 .

中国专利 :CN106449936A ,2017-02-22

[5]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

千大明 ;

延智慧 ;

许在赫 ;

琴现圣 ;

成汉珪 ;

崔荣进 .

中国专利 :CN105280761A ,2016-01-27

[6]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

橘浩一 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103579427A ,2014-02-12

[7]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

曾坚信 .

中国专利 :CN102569622A ,2012-07-11

[8]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

金相沇 ;

孙宗洛 ;

金起范 ;

李守烈 ;

金容一 .

中国专利 :CN102800773A ,2012-11-28

[9]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN101904023A ,2010-12-01

[10]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

蒂姆·迈克尔·斯密顿 ;

马修·泽维尔·先尼 ;

陈伟新 ;

瓦莱里·贝里曼-博斯奎特 .

中国专利 :CN102403427A ,2012-04-04

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