基于金属氧化物纳米颗粒的T1-T2双模式磁共振成像造影剂

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380076498.3

申请日：

2013-04-05

公开(公告)号：

CN105188772B

公开(公告)日：

2015-12-23

发明(设计)人：

李光烈金珉植金泽勋武玉潘

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

A61K4906

IPC分类号：

A61K4904 A61K4702 A61K916

代理机构：

北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467

代理人：

王金双

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-02	授权	授权
2017-04-05	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749566403 IPC(主分类):A61K 49/06 专利申请号:2013800764983 变更事项:申请人变更前:因特伦生物技术株式会社变更后:尹特荣生物科技株式会社变更事项:地址变更前:韩国京畿道变更后:韩国京畿道
2016-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101643349057 IPC(主分类):A61K 49/06 专利申请号:2013800764983 申请日:20130405
2015-12-23	公开	公开

共 50 条

[1]

包含含锌磁性金属氧化物纳米颗粒的磁共振成像造影剂 [P].

千珍宇 ;

全永旭 ;

张正铎 .

中国专利 :CN101547706A ,2009-09-30

[2]

具有中心腔的基于金属氧化物纳米颗粒的磁共振成像造影剂 [P].

李光烈 ;

金珉植 ;

金泽勋 ;

武玉潘 .

中国专利 :CN105209079A ,2015-12-30

[3]

一种T1-T2双激活磁共振成像造影剂及其制备方法和应用 [P].

田雷蕾 ;

卢宏伟 ;

张馨丹 ;

魏子翔 .

中国专利 :CN112494666A ,2021-03-16

[4]

一种T1/T2双模式磁共振成像造影剂及其制备方法和用途 [P].

卢小泉 ;

尚登辉 ;

张守婷 ;

汪天胜 ;

魏红娟 ;

毛翔 ;

张振 ;

张东旭 .

中国专利 :CN108543081A ,2018-09-18

[5]

基于超细氧化铁纳米颗粒的磁共振成像T1造影剂 [P].

李润相 ;

玄泽焕 ;

郑载民 ;

李载成 ;

朴志龙 ;

金奎完 ;

申在烉 ;

高根培 ;

李活 ;

朴银我 .

中国专利 :CN113924129A ,2022-01-11

[6]

作为磁共振成像的高性能T2造影剂的八角铁氧化物纳米颗粒 [P].

高金浩 ;

陈晓媛 ;

赵曾焕 .

中国专利 :CN105722535B ,2016-06-29

[7]

基于介孔二氧化硅双模式荧光/磁共振成像造影剂及制备 [P].

朱君 ;

周涓 ;

路青 ;

何丹农 .

中国专利 :CN103845741B ,2014-06-11

[8]

内凹形氧化铁T2暗场磁共振成像造影剂的制备方法 [P].

高锦豪 ;

赵征寰 ;

陈小元 ;

池小琴 ;

杨丽娇 ;

黄登通 .

中国专利 :CN103550794A ,2014-02-05

[9]

提高作为T1型磁共振成像造影剂的纳米粒子的分散稳定性的方法及T1型磁共振成像造影剂的纳米粒子 [P].

千珍宇 ;

申泰铉 .

中国专利 :CN108712915A ,2018-10-26

[10]

一种T1-T2双模态超高场磁共振造影剂及其制备方法和应用 [P].

凌代舜 ;

李方园 ;

白瑞良 ;

汪瑾 .

中国专利 :CN112274657B ,2021-01-29

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