温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Sn2O9

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610583649.X

申请日：

2016-07-23

公开(公告)号：

CN106278237A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

相怀成段炼苏和平

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35453

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/453 申请公布日:20170104
2017-01-04	公开	公开
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700778554 IPC(主分类):C04B 35/453 专利申请号:201610583649X 申请日:20160723

共 50 条

[1]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Sn2O9 [P].

相怀成 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106187153A ,2016-12-07

[2]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Ge2O9 [P].

校凯 ;

段炼 ;

陈爽 .

中国专利 :CN106220160A ,2016-12-14

[3]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Si2O9 [P].

校凯 ;

段炼 ;

唐莹 .

中国专利 :CN106187133A ,2016-12-07

[4]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷ZnLa2V2O9 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

邓酩 .

中国专利 :CN105777122A ,2016-07-20

[5]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷CaLaV3O10 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

王丹 .

中国专利 :CN104844210A ,2015-08-19

[6]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBaYV2O8 [P].

罗昊 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105036744A ,2015-11-11

[7]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiSrSmV2O8 [P].

王丹 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105236972A ,2016-01-13

[8]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBaLa2V3O12 [P].

罗昊 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105236978A ,2016-01-13

[9]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiAlSnO4 [P].

徐敏育 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106116565A ,2016-11-16

[10]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiCaVO4 [P].

陈进武 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105272241A ,2016-01-27

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