预锂化负极片及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011022030.4
申请日
2020-09-25
公开(公告)号
CN112072074A
公开(公告)日
2020-12-11
发明(设计)人
赵育松 邱昭政 李文龙 梁世硕
申请人
申请人地址
215300 江苏省苏州市昆山市昆山开发区蓬溪中路1号
IPC主分类号
H01M4139
IPC分类号
H01M404 H01M462 H01M413 H01M100525
代理机构
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人
周慧云
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
预锂化负极片及其制备方法和应用 [P]. 
李文龙 ;
赵育松 ;
邱昭政 ;
梁世硕 .
中国专利 :CN112072078A ,2020-12-11
[2]
预锂化负极片及其制备方法和应用 [P]. 
邱昭政 ;
赵育松 ;
李文龙 ;
丁易 ;
梁世硕 .
中国专利 :CN112072077A ,2020-12-11
[3]
补锂负极片及其制备方法和应用 [P]. 
邱昭政 ;
赵育松 ;
李文龙 ;
梁世硕 ;
吴光麟 .
中国专利 :CN111725487A ,2020-09-29
[4]
预锂化的硅负极及其制备方法和应用 [P]. 
徐航宇 ;
李泉 ;
闫昭 ;
陆浩 ;
周逸波 ;
禹习谦 ;
李泓 .
中国专利 :CN111864181A ,2020-10-30
[5]
一种预锂化复合负极片及其制备方法和应用 [P]. 
黄苗 ;
彭燕秋 ;
李琦旸 ;
刘金成 ;
刘建华 .
中国专利 :CN112701253B ,2021-04-23
[6]
一种预锂化硅基负极极片及其制备方法和应用 [P]. 
邱昭政 ;
梁世硕 ;
李文龙 ;
赵育松 .
中国专利 :CN113363413A ,2021-09-07
[7]
预锂化负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
于刘涛 ;
齐士博 ;
吕豪杰 ;
吴光麟 .
中国专利 :CN111584853A ,2020-08-25
[8]
硅氧预锂化负极及其制备方法和应用 [P]. 
赵俊年 ;
邱昭政 ;
梁世硕 .
中国专利 :CN113488612A ,2021-10-08
[9]
预锂化硅氧负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
邱昭政 ;
李文龙 ;
赵育松 ;
梁世硕 .
中国专利 :CN112886000A ,2021-06-01
[10]
负极材料、负极片及其制备方法和应用 [P]. 
范欢欢 .
中国专利 :CN114142028A ,2022-03-04