用于外延生长半导体层的金属有机化合物的制备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95194873.3

申请日：

1995-09-04

公开(公告)号：

CN1156996A

公开(公告)日：

1997-08-13

发明(设计)人：

A·C·琼斯 S·A·鲁施沃斯 T·马丁 T·J·怀塔克 R·W·夫里尔

申请人：

申请人地址：

英国伍斯特郡

IPC主分类号：

C07F500

IPC分类号：

H01L21205 C30B2502

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

徐汝巽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-04-19	授权	授权
2005-11-09	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
1997-12-03	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1997-08-13	公开	公开

共 50 条

[1]

金属有机化合物 [P].

A·C·琼斯 ;

S·A·拉什沃思 ;

T·马丁 ;

T·J·怀塔克 ;

R·W·弗里尔 .

中国专利 :CN1051554C ,1997-08-27

[2]

金属有机化合物的制备 [P].

R·S·迪克西特 ;

柏桦 ;

C·D·莫德特兰德 ;

R·A·韦尔 ;

J·G·小彭德格斯特 ;

C·P·克里斯滕森 ;

D·V·舍奈-卡特哈特 ;

A·阿曼奇安 ;

K·M·克鲁奇 ;

R·F·珀卡里 .

中国专利 :CN103254248A ,2013-08-21

[3]

金属有机化合物的制备 [P].

C·D·莫德特兰德 .

中国专利 :CN102977132B ,2013-03-20

[4]

用于制备金属有机化合物的工艺 [P].

斯图尔特·詹姆斯 ;

托尼·麦克纳利 ;

罗伯特·海登 .

中国专利 :CN105246906A ,2016-01-13

[5]

制备金属有机化合物的装置 [P].

牟新东 ;

高鹍 ;

李慧 .

中国专利 :CN214765338U ,2021-11-19

[6]

金属有机化合物 [P].

G·S·西弗尔曼 ;

K·K·S·沈 ;

H·L·乌尔姆 .

中国专利 :CN1172940C ,2001-05-16

[7]

金属有机化合物 [P].

N·劳 ;

W·肖恩 ;

A·弗雷 ;

A·多皮乌 ;

E·沃尔奈尔 ;

R·卡奇 .

中国专利 :CN115315428A ,2022-11-08

[8]

金属有机化合物 [P].

S·P·诺兰 .

中国专利 :CN110088116A ,2019-08-02

[9]

金属有机化合物 [P].

N·劳 ;

J·松德迈尔 ;

A·里瓦斯纳斯 ;

R·卡奇 ;

A·弗雷 ;

A·多皮乌 ;

E·沃尔奈尔 .

中国专利 :CN112292383A ,2021-01-29

[10]

半导体工业用Ⅲ族金属有机化合物及其制备方法 [P].

王安东 ;

刘子伟 ;

万欣 ;

徐耀中 ;

邓革革 ;

董礼 .

中国专利 :CN118791511B ,2025-09-23

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