表面增强拉曼散射基底

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220016722.2

申请日：

2012-01-13

公开(公告)号：

CN202710478U

公开(公告)日：

2013-01-30

发明(设计)人：

温晓镭王沛张斗国鲁拥华明海

申请人：

申请人地址：

230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

IPC主分类号：

G01N2165

IPC分类号：

代理机构：

北京科迪生专利代理有限责任公司 11251

代理人：

许玉明;贾玉忠

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 21/65 申请日:20120113 授权公告日:20130130 终止日期:20190113
2013-01-30	授权	授权

共 50 条

[1]

基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底及其制备方法 [P].

温晓镭 ;

王沛 ;

张斗国 ;

鲁拥华 ;

明海 .

中国专利 :CN102565024A ,2012-07-11

[2]

表面增强拉曼散射基底 [P].

朱圣清 ;

周健 ;

杨润苗 ;

周仕龙 .

中国专利 :CN107478639A ,2017-12-15

[3]

一种表面增强拉曼散射基底 [P].

田毅 ;

褚卫国 ;

陈佩佩 ;

胡海峰 .

中国专利 :CN114264644A ,2022-04-01

[4]

一种表面增强拉曼散射基底 [P].

田毅 ;

褚卫国 ;

陈佩佩 ;

胡海峰 .

中国专利 :CN114264644B ,2024-09-27

[5]

一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法 [P].

王超男 ;

蔡鑫 ;

曹婷 ;

刘翰文 ;

韩木子 .

中国专利 :CN120522154A ,2025-08-22

[6]

一种表面增强拉曼散射基底 [P].

程鑫 ;

陈巍元 ;

姜有为 ;

李维昊 .

中国专利 :CN207751878U ,2018-08-21

[7]

表面增强拉曼散射基底及其制备工艺 [P].

潘革波 ;

张淼荣 .

中国专利 :CN107337176B ,2017-11-10

[8]

表面增强拉曼散射基底及其制备方法 [P].

宋春元 ;

汪联辉 ;

笪炳涛 ;

魏玉涵 ;

张海婷 ;

丛兴 .

中国专利 :CN105954251A ,2016-09-21

[9]

表面增强拉曼散射活性测定基板 [P].

长谷川裕起 ;

长谷川克之 .

中国专利 :CN102428359A ,2012-04-25

[10]

一种高通量表面增强拉曼散射基底 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN212904537U ,2021-04-06

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