半导体存储装置的地址延迟电路

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专利类型
发明
申请号
CN201110309520.7
申请日
2011-10-13
公开(公告)号
CN102693751B
公开(公告)日
2012-09-26
发明(设计)人
高在范
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
G11C114063
IPC分类号
代理机构
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
代理人
郭放;许伟群
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
地址控制电路以及半导体存储装置 [P]. 
李京夏 ;
李周炫 .
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[2]
半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置 [P]. 
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[3]
延迟控制电路、半导体存储装置以及延迟控制方法 [P]. 
奥野晋也 .
中国专利 :CN117373504A ,2024-01-09
[4]
半导体存储装置的电源供应电路和半导体存储装置 [P]. 
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[5]
半导体存储装置及半导体集成电路装置 [P]. 
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[6]
半导体存储装置 [P]. 
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[7]
半导体存储装置 [P]. 
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[8]
半导体存储装置 [P]. 
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[9]
半导体存储装置 [P]. 
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[10]
半导体存储装置 [P]. 
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