半导体器件以及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710086189.0

申请日：

2007-03-06

公开(公告)号：

CN101034693A

公开(公告)日：

2007-09-12

发明(设计)人：

萩尾义知

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L2160

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

李峥;于静

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件制造方法以及半导体器件 [P].

成田博明 .

中国专利 :CN103390604B ,2013-11-13

[2]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

浅村规弘 ;

石野能广 .

中国专利 :CN104425428A ,2015-03-18

[3]

制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

迈克尔·鲍尔 ;

丹尼尔·波尔沃尔 ;

乌尔里希·瓦赫特 .

中国专利 :CN103367174B ,2013-10-23

[4]

制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

金本光一 .

中国专利 :CN104143518A ,2014-11-12

[5]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

闲野义则 .

中国专利 :CN101154601B ,2008-04-02

[6]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

高田圭太 ;

团野忠敏 ;

波多俊幸 .

中国专利 :CN104603943B ,2015-05-06

[7]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

小贺彰 .

中国专利 :CN101281876A ,2008-10-08

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

本间博 ;

小田岛均 ;

宫崎忠一 ;

和田隆 ;

大录范行 ;

三田彻 .

中国专利 :CN100334706C ,2005-06-22

[9]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

渡边真司 ;

木田刚 ;

小野善宏 ;

森健太郎 ;

坂田贤治 ;

山田裕介 .

中国专利 :CN106233462A ,2016-12-14

[10]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

团野忠敏 ;

松下司 ;

锦泽笃志 .

中国专利 :CN107305851A ,2017-10-31

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