使用Ⅳ族纳米颗粒在晶片基底上形成结区

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880129407.7

申请日：

2008-04-25

公开(公告)号：

CN102047389B

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

梅森·特里霍默·安东尼阿迪斯德米特里·波普拉夫斯基马克西姆·克尔曼

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21225

IPC分类号：

H01L21336 H01L3118 H01L2120 H01L218238

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

朱黎明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-19	授权	授权
2015-06-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101613154381 IPC(主分类):H01L 21/225 专利号:ZL2008801294077 申请日:20080425 授权公告日:20130619 终止日期:20140425
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101080109116 IPC(主分类):H01L 21/225 专利申请号:2008801294077 申请日:20080425
2011-05-04	公开	公开

共 50 条

[1]

在基底上产生纳米颗粒薄膜的方法 [P].

N·克拉斯特瓦 ;

Y·约瑟夫 .

中国专利 :CN101451971B ,2009-06-10

[2]

在Ⅳ族半导体基底上形成外延层的方法 [P].

D·波普拉夫斯基 ;

F·莱米 ;

M·克尔曼 ;

A·梅泽 .

中国专利 :CN101647092A ,2010-02-10

[3]

Ⅳ族纳米颗粒结以及由其构成的设备 [P].

马尔科姆·阿博特 ;

马克西姆·克尔曼 ;

弗朗切斯科·莱米 ;

安德烈亚斯·迈泽尔 ;

德米特里·波普拉夫斯基 ;

梅森·特里 ;

卡雷尔·凡赫斯登 .

中国专利 :CN101828266A ,2010-09-08

[4]

用于在基底上气雾剂沉积纳米颗粒的装置和方法 [P].

J·勒菲弗 ;

P·马朗方 .

中国专利 :CN108026304A ,2018-05-11

[5]

在基片上形成多掺杂结的方法 [P].

苏尼尔·沙阿 ;

马尔科姆·阿博特 .

中国专利 :CN102246275A ,2011-11-16

[6]

在捕集流体中的固体基底上直接沉积纳米颗粒 [P].

J·A·凯西 ;

E·C·格雷森 ;

D·威特科尔 ;

余心迪 .

美国专利 :CN120603782A ,2025-09-05

[7]

用于在基底上形成金纳米线的方法及由该方法形成的金纳米线 [P].

陈虹宇 ;

何嘉挺 ;

王亚雯 .

中国专利 :CN103945966A ,2014-07-23

[8]

在多孔基底上制作纳米结构的电极 [P].

尼古拉斯·吉利特 ;

加尔德里克·锡比乌德 .

中国专利 :CN102713015A ,2012-10-03

[9]

在基片上形成复合纳米颗粒金属的金属化触点的方法 [P].

卡雷尔·凡赫斯登 ;

弗朗切斯科·莱米 ;

德米特里·波普拉夫斯基 ;

梅森·特里 ;

马尔科姆·阿博特 .

中国专利 :CN102017164A ,2011-04-13

[10]

在衬底上定位纳米颗粒的方法以及纳米颗粒阵列 [P].

R·L·桑德斯特伦 ;

C·B·穆拉伊 ;

C·T·布莱克 .

中国专利 :CN101055834A ,2007-10-17

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