一种具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110309625.2

申请日：

2011-10-13

公开(公告)号：

CN102354706A

公开(公告)日：

2012-02-15

发明(设计)人：

李泽宏单亚东张金平张波任敏

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2910

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

葛启函

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-15	公开	公开
2013-11-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101671451113 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2011103096252 申请公布日:20120215
2012-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101212133296 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2011103096252 申请日:20111013
2013-04-24	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101575603714 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2011103096252 变更事项:申请人变更前权利人:电子科技大学变更后权利人:电子科技大学变更事项:地址变更前权利人:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号变更后权利人:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:东莞电子科技大学电子信息工程研究院登记生效日:20130402

共 50 条

[1]

具有埋岛结构的绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

杨文韬 ;

李巍 ;

夏小军 ;

张灵霞 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN102842612A ,2012-12-26

[2]

一种沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管 [P].

黄义 ;

王礼祥 ;

秦海峰 ;

许峰 ;

陈伟中 ;

周科宏 .

中国专利 :CN113270492A ,2021-08-17

[3]

一种沟槽绝缘栅双极型晶体管 [P].

李泽宏 ;

钱梦亮 ;

张波 .

中国专利 :CN101452952A ,2009-06-10

[4]

一种具有体电极的沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管 [P].

李泽宏 ;

张超 ;

刘小龙 ;

李婷 ;

姜贯军 ;

余士江 .

中国专利 :CN102194864B ,2011-09-21

[5]

一种体内电导调制增强的沟槽型绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

李泽宏 ;

安俊杰 ;

张波 .

中国专利 :CN102201439A ,2011-09-28

[6]

具有沟槽结构的绝缘栅双极型晶体管 [P].

鸟居克行 .

中国专利 :CN102903740B ,2013-01-30

[7]

沟槽绝缘栅双极型晶体管 [P].

郭家铭 ;

俞仲威 ;

黄国伦 ;

张朝宗 .

中国专利 :CN214152905U ,2021-09-07

[8]

一种P型绝缘栅双极型晶体管结构 [P].

孙伟锋 ;

戴伟楠 ;

杨卓 ;

孙华芳 ;

祝靖 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN103618002A ,2014-03-05

[9]

一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管 [P].

甘朝阳 ;

董少华 ;

刘江 ;

朱涛 ;

金锐 ;

温家良 ;

潘艳 .

中国专利 :CN107579113A ,2018-01-12

[10]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 ;

弗兰克·普菲尔什 ;

霍尔格·豪斯肯 .

中国专利 :CN203288597U ,2013-11-13

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