存储器单元、形成存储器单元的方法及形成存储器阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280017915.2

申请日：

2012-03-06

公开(公告)号：

CN103503142B

公开(公告)日：

2014-01-08

发明(设计)人：

刘峻约翰·K·查胡瑞

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

孙宝成

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101570125234 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2012800179152 申请日:20120306
2014-01-08	公开	公开
2016-08-17	授权	授权

共 50 条

[1]

存储器单元阵列及形成存储器单元阵列的方法 [P].

A·M·孔蒂 ;

A·皮罗瓦诺 ;

A·雷达埃利 .

中国专利 :CN108807455A ,2018-11-13

[2]

存储器单元阵列及形成存储器单元阵列的方法 [P].

刘峻 ;

库诺·R·派瑞克 .

中国专利 :CN104995733B ,2015-10-21

[3]

存储器单元、存储器阵列以及形成存储器阵列的方法 [P].

金昌汉 .

中国专利 :CN111418065A ,2020-07-14

[4]

存储器单元阵列及形成存储器单元阵列的层的方法 [P].

D·V·N·拉马斯瓦米 .

美国专利 :CN110214374B ,2024-03-19

[5]

半导体构造、存储器单元、存储器阵列及形成存储器单元的方法 [P].

法比欧·佩里兹 ;

钦奇亚·佩罗内 .

中国专利 :CN104471703A ,2015-03-25

[6]

存储器单元及形成存储器单元的方法 [P].

古尔特杰·S·桑胡 ;

帕斯卡尔·斯里尼瓦桑 .

中国专利 :CN104067391A ,2014-09-24

[7]

存储器单元及形成存储器单元的方法 [P].

刘海涛 ;

K·M·卡尔达 ;

A·法鲁辛 .

中国专利 :CN109994477A ,2019-07-09

[8]

存储器阵列及形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

D·比林斯利 ;

J·D·格林利 ;

Y·J·胡 .

中国专利 :CN112652627A ,2021-04-13

[9]

存储器阵列及形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

D·比林斯利 ;

J·D·格林利 ;

Y·J·胡 .

美国专利 :CN112652627B ,2024-01-09

[10]

存储器单元及存储器单元阵列 [P].

斯科特·E·西里斯 ;

古尔特杰·S·桑胡 ;

山·D·唐 ;

约翰·斯迈思 .

中国专利 :CN103858231A ,2014-06-11

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