一种Tm掺杂改性钼酸铋光电极、制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910843148.4

申请日：

2019-09-06

公开(公告)号：

CN110937662A

公开(公告)日：

2020-03-31

发明(设计)人：

薛娟琴张健雷大士李姝昊毕强唐长斌

申请人：

申请人地址：

710055 陕西省西安市雁塔路13号

IPC主分类号：

C02F1461

IPC分类号：

C02F130 C02F10330 C02F10138

代理机构：

北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562

代理人：

宋平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C02F 1/461 申请日:20190906
2023-01-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B01J 23/28 申请公布日:20200331
2020-03-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Yb掺杂改性锡酸锌光电极的制备及其应用 [P].

薛娟琴 ;

雷大士 ;

李姝昊 ;

毕强 ;

唐长斌 .

中国专利 :CN110075824A ,2019-08-02

[2]

一种十六烷基三甲基溴化铵改性钼酸铋光电极的制备方法、产品及其应用 [P].

薛娟琴 ;

雷大士 ;

张健 ;

李姝昊 ;

毕强 ;

唐长斌 .

中国专利 :CN110498487A ,2019-11-26

[3]

一种镱离子掺杂改性BiVO4光电催化电极的制备方法、产品及其应用 [P].

薛娟琴 ;

李金锴 ;

雷大士 ;

李姝昊 ;

毕强 ;

唐长斌 .

中国专利 :CN110586068B ,2019-12-20

[4]

一种改性钼酸铋及其制备方法和应用 [P].

王红涛 ;

周所超 ;

任腾飞 ;

陶峰 ;

陈俊博 .

中国专利 :CN120586898A ,2025-09-05

[5]

一种中空球状纳米γ‑钼酸铋及其制备方法 [P].

张芳 ;

林志东 ;

吴梦婷 .

中国专利 :CN105498751B ,2016-04-20

[6]

一种复合光电极的制备方法及其产品和应用 [P].

叶凯航 ;

邹文昊 ;

李嘉鑫 ;

李洁瑜 .

中国专利 :CN118800593A ,2024-10-18

[7]

一种复合光电极的制备方法及其产品和应用 [P].

叶凯航 ;

邹文昊 ;

李嘉鑫 ;

李洁瑜 .

中国专利 :CN118800593B ,2025-05-02

[8]

钼酸铋纳米晶、制备方法及其应用 [P].

丁维平 ;

郭学锋 ;

王立 ;

王仰东 ;

吕晓渊 .

中国专利 :CN103663559A ,2014-03-26

[9]

一种单斜相钼掺杂钒酸铋光电极及其制备方法与应用 [P].

王肇祺 ;

唐东起 ;

王泽岩 ;

江淼 ;

刘小磊 ;

黄柏标 .

中国专利 :CN120683548A ,2025-09-23

[10]

一种钼酸铋光催化剂的制备方法 [P].

唐宁 ;

徐佳 .

中国专利 :CN108970605A ,2018-12-11

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