高电导率硅氧负极材料及其应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911230649.1
申请日
2019-12-04
公开(公告)号
CN111048756A
公开(公告)日
2020-04-21
发明(设计)人
陈青华 房冰 胡盼 刘江平
申请人
申请人地址
321100 浙江省金华市兰溪市经济开发区(兰江街道城郊西路17号)
IPC主分类号
H01M436
IPC分类号
H01M448 H01M462 H01M100525
代理机构
北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542
代理人
余罡
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
具备高离子电导率的硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
徐晶 ;
叶康 ;
雷丹 .
中国专利 :CN120657106A ,2025-09-16
[2]
高离子电导率LATP材料及其制备方法、应用 [P]. 
王勤 ;
吕飞 ;
彭堂平 ;
张丽 ;
石从兴 ;
陈志城 ;
陈小明 ;
何思聪 ;
邹锦涛 ;
朱星宝 ;
唐星 ;
祁卫婷 ;
张艳君 ;
温向宇 .
中国专利 :CN120999096A ,2025-11-21
[3]
复合硅负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
林宁 ;
李亚儒 .
中国专利 :CN119627072A ,2025-03-14
[4]
硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
林宁 ;
钱勇 ;
田晋伟 .
中国专利 :CN119275256A ,2025-01-07
[5]
硅基负极材料及其制备方法、负极、电池和用电设备 [P]. 
杨荣 ;
王良俊 ;
何科峰 ;
裴大钊 ;
谢帅 .
中国专利 :CN119542366A ,2025-02-28
[6]
一种高电导率复合石墨负极材料及其制备方法 [P]. 
陈少林 ;
许惠生 ;
林伟锋 .
中国专利 :CN119742332A ,2025-04-01
[7]
一种高电导率复合石墨负极材料及其制备方法 [P]. 
陈少林 ;
许惠生 ;
林伟锋 .
中国专利 :CN119742332B ,2025-10-28
[8]
一种硅负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
叶克份 ;
张小祝 ;
陈伟 ;
朱丹凤 ;
苏敏 .
中国专利 :CN119725502A ,2025-03-28
[9]
一种硅氧复合负极材料及其制备方法与锂离子电池负极 [P]. 
刘文渊 ;
李亚迪 ;
胡恒广 ;
闫冬成 ;
张广涛 ;
王维 ;
郝艺 .
中国专利 :CN120089696A ,2025-06-03
[10]
石墨负极材料及其应用 [P]. 
季恒星 ;
金洪昌 ;
黄颖珊 ;
王超楠 .
中国专利 :CN120834201A ,2025-10-24