一种稀土掺杂上转换发光调控材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010957922.7

申请日：

2020-09-14

公开(公告)号：

CN114181701A

公开(公告)日：

2022-03-15

发明(设计)人：

吴圣成李梦竹

申请人：

申请人地址：

300300 天津市东丽区驯海路100号

IPC主分类号：

C09K1178

IPC分类号：

C01G3900 C01G3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种稀土掺杂上转换发光材料及其制备方法 [P].

邹华 ;

黄玉凤 ;

王锋 ;

陈冰 ;

胡益丰 ;

朱小芹 .

中国专利 :CN110713833A ,2020-01-21

[2]

稀土掺杂钛酸铋上转换发光纳米晶材料 [P].

陈向群 ;

孙秋 ;

王福平 ;

蔡伟 ;

李宇龙 ;

孔帆 ;

李丽萍 .

中国专利 :CN101724397B ,2010-06-09

[3]

上转换发光材料的制造方法 [P].

郑桦 ;

宋超 ;

李桐霞 ;

林泽键 ;

黄锐 ;

王祥 ;

郭艳青 ;

宋捷 .

中国专利 :CN107868662A ,2018-04-03

[4]

一种稀土掺杂氧化物纳米上转换发光材料的制备方法 [P].

王丹 ;

冷静柠 ;

蒲源 ;

陈建峰 .

中国专利 :CN107033895A ,2017-08-11

[5]

一种稀土掺杂铌酸盐单晶上转换发光材料及其制备方法 [P].

赵祥永 ;

薛赛东 ;

罗豪甦 ;

邓昊 ;

王飞飞 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN109868502B ,2019-06-11

[6]

一种稀土掺杂氟化钇钾上转换发光纳米材料的制备方法 [P].

王友法 ;

周斌 ;

夏冬林 ;

熊真敏 ;

刘星 ;

李乾 ;

柯明鑫 .

中国专利 :CN104327855B ,2015-02-04

[7]

一种稀土掺杂硅酸锂钇上转换发光材料及其制备方法 [P].

胡俊山 ;

韩雪 ;

吕永星 ;

朱道斌 .

中国专利 :CN119736085A ,2025-04-01

[8]

一种稀土掺杂钪铝酸钡上转换发光材料及其制备方法 [P].

付浩 ;

黄政虎 ;

胡俊山 ;

王若男 ;

熊汇雨 ;

伍风翼 ;

罗勇 .

中国专利 :CN110885684A ,2020-03-17

[9]

一种稀土掺杂钪钨酸钡上转换发光材料及其制备方法 [P].

胡俊山 ;

丁长春 ;

金伟 ;

段斌 ;

吴宇翔 .

中国专利 :CN116515486B ,2024-03-15

[10]

一种稀土离子掺杂卤氧化铋上转换发光材料及其制备方法 [P].

宋志国 ;

王莎莎 ;

刘桐 ;

宋亚湃 ;

尹兆益 ;

杨正文 ;

邱建备 .

中国专利 :CN109971479A ,2019-07-05

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