兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110763474.1

申请日：

2021-07-06

公开(公告)号：

CN113504588B

公开(公告)日：

2021-10-15

发明(设计)人：

苏俊宏时凯徐均琪梁海锋吴慎将汪桂霞万文博

申请人：

申请人地址：

710032 陕西省西安市未央区学府中路2号

IPC主分类号：

G02B1115

IPC分类号：

H05K900

代理机构：

西安新思维专利商标事务所有限公司 61114

代理人：

李凤鸣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-15	公开	公开
2022-09-13	授权	授权
2021-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 1/115 申请日:20210706

共 50 条

[1]

一种中红外透明兼容电磁屏蔽薄膜的制备方法 [P].

段超 ;

高岗 ;

朱嘉琦 ;

杨磊 ;

李坤 ;

吴彬 ;

黄易 .

中国专利 :CN120905634A ,2025-11-07

[2]

模压硫系玻璃镜片及其镀近红外增透薄膜的制备方法 [P].

张辉 ;

何文波 ;

侯艳萍 ;

聂建军 ;

周宝藏 ;

魏岩丽 ;

唐磊 .

中国专利 :CN117388960B ,2024-05-31

[3]

模压硫系玻璃镜片及其镀近红外增透薄膜的制备方法 [P].

张辉 ;

何文波 ;

侯艳萍 ;

聂建军 ;

周宝藏 ;

魏岩丽 ;

唐磊 .

中国专利 :CN117388960A ,2024-01-12

[4]

一种透红外电磁屏蔽光窗 [P].

高雅忱 ;

侯二滨 .

中国专利 :CN110730608B ,2024-03-22

[5]

一种透红外电磁屏蔽光窗 [P].

高雅忱 ;

侯二滨 .

中国专利 :CN210610214U ,2020-05-22

[6]

一种透红外电磁屏蔽光窗 [P].

高雅忱 ;

侯二滨 .

中国专利 :CN110730608A ,2020-01-24

[7]

锗基底2-13μm中远红外增透薄膜的设计方法以及制备方法 [P].

蔡宇轩 ;

刘克武 ;

王振 ;

李满仕 ;

尹士平 .

中国专利 :CN119247526A ,2025-01-03

[8]

一种电磁屏蔽与红外增透曲面窗口的超快激光制造方法 [P].

王聪 ;

丁玉龙 ;

高政 ;

段吉安 .

中国专利 :CN119772362B ,2025-11-04

[9]

一种电磁屏蔽与红外增透曲面窗口的超快激光制造方法 [P].

王聪 ;

丁玉龙 ;

高政 ;

段吉安 .

中国专利 :CN119772362A ,2025-04-08

[10]

一种电磁屏蔽薄膜的制备方法及电磁屏蔽薄膜 [P].

郭世豪 ;

王钦 ;

虞成城 .

中国专利 :CN119391030A ,2025-02-07

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