SIC-MOSFET并联均流电路及其控制方法

被引：0

申请号：

CN202211414384.2

申请日：

2022-11-11

公开(公告)号：

CN115459566A

公开(公告)日：

2022-12-09

发明(设计)人：

曹文平刘辉孙路严志尚胡存刚

申请人：

申请人地址：

230001 安徽省合肥市高新区中国（安徽）自由贸易试验区创新大道2800号创新产业园二期F1-1701

IPC主分类号：

H02M1088

IPC分类号：

H02M132 H03K170814 H03K17687

代理机构：

合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115

代理人：

娄岳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/088 申请日:20221111
2022-12-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种大功率SiC MOSFET并联均温均流电路 [P].

陶兴军 ;

段晓丽 ;

范恺 ;

李双 .

中国专利 :CN118739807A ,2024-10-01

[2]

SiC MOSFET并联均流与振荡抑制电路、方法 [P].

杨鑫 ;

刘岩超 .

中国专利 :CN118900021A ,2024-11-05

[3]

SiC MOSFET并联均流与振荡抑制电路、方法 [P].

杨鑫 ;

刘岩超 .

中国专利 :CN118900021B ,2025-02-11

[4]

功率晶体并联均流电路布局方法及其均流电路 [P].

宁毅 .

中国专利 :CN114126220B ,2024-11-05

[5]

功率晶体并联均流电路布局方法及其均流电路 [P].

宁毅 .

中国专利 :CN114126220A ,2022-03-01

[6]

均流电路及其控制方法 [P].

王兴蔚 ;

龚军勇 ;

布伦特·休斯 .

中国专利 :CN104980024A ,2015-10-14

[7]

基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法 [P].

曾正 ;

邵伟华 ;

胡博容 ;

廖兴林 ;

李辉 ;

冉立 .

中国专利 :CN105790583A ,2016-07-20

[8]

电源并联均流电路 [P].

陈卫红 .

中国专利 :CN201690362U ,2010-12-29

[9]

LDO并联均流电路 [P].

戴晓龙 ;

吴之光 ;

徐成焱 ;

李童 .

中国专利 :CN109039045A ,2018-12-18

[10]

一种基于SiC MOSFET并联均流的控制电路 [P].

李贺龙 ;

韩亮亮 ;

张满 ;

于浪浪 ;

王澳 ;

赵爽 ;

杨之青 ;

丁立建 .

中国专利 :CN115037129A ,2022-09-09

← 1 2 3 4 5 →