具有导体材料层的晶体管栅电极

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480042095.8

申请日：

2004-12-22

公开(公告)号：

CN1922735A

公开(公告)日：

2007-02-28

发明(设计)人：

阿南德·墨菲博扬·博亚诺夫休曼·达塔布赖恩·S·多伊尔 B－Y·金 S·于罗伯特·赵

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2910

IPC分类号：

H01L2949 H01L2128 H01L218238 H01L218234

代理机构：

北京嘉和天工知识产权代理事务所

代理人：

严慎

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-29	授权	授权
2007-02-28	公开	公开
2007-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

底栅电极薄膜晶体管 [P].

丹尼斯·E·沃格尔 ;

布拉因·K·纳尔逊 .

中国专利 :CN101346808B ,2009-01-14

[2]

制造顶栅有机半导体晶体管的方法 [P].

J·布鲁格斯 ;

G·怀廷 ;

J·豪斯 .

中国专利 :CN101978523A ,2011-02-16

[3]

具有场电极的晶体管器件 [P].

C·坎彭 ;

M·聪德尔 .

中国专利 :CN105720102A ,2016-06-29

[4]

具有场电极的晶体管器件 [P].

F·希尔勒 ;

A·毛德 .

中国专利 :CN103681867B ,2014-03-26

[5]

用于MOS晶体管的栅电极 [P].

A·布洛斯 ;

K·拉姆库马 ;

P·戈帕兰 .

中国专利 :CN100468663C ,2006-06-28

[6]

利用沟槽栅电极的绝缘栅双极性晶体管 [P].

大河原淳 .

中国专利 :CN105074931B ,2015-11-18

[7]

具有增大的栅‑漏电容的晶体管器件 [P].

A.马穆德 ;

E.维西诺巴斯克斯 ;

A.维尔梅罗特 .

中国专利 :CN106992212A ,2017-07-28

[8]

具有场电极的晶体管器件 [P].

O.布兰克 ;

R.西米尼克 .

中国专利 :CN104465771B ,2015-03-25

[9]

包含有机半导体材料的薄膜晶体管 [P].

A·菲奇提 ;

夏禹 ;

陈志华 ;

T·邱 ;

吕少峰 .

中国专利 :CN113396490A ,2021-09-14

[10]

具有绝缘栅半导体元件的半导体器件和绝缘栅双极晶体管 [P].

小山雅纪 ;

冈部好文 ;

浅井诚 ;

藤井岳志 ;

吉川功 .

中国专利 :CN101499473A ,2009-08-05

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