一种钙离子选择性电极的感应膜及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910836645.1
申请日
2019-09-05
公开(公告)号
CN110734583A
公开(公告)日
2020-01-31
发明(设计)人
罗艳 曹芮 刘海波 边宝丽 王红璐 戴俏俏 张玉珍 李丹
申请人
申请人地址
100076 北京市大兴区西红门镇金业大街10号
IPC主分类号
C08L112
IPC分类号
C08K332 C08K5521 C08K512 C08J518 G01N27333
代理机构
北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311
代理人
田明;文永明
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种微型固态钙离子选择性电极及其制备方法 [P]. 
边升太 ;
陈冉 .
中国专利 :CN115825200B ,2024-09-20
[2]
一种固态钙离子选择性电极及其制备方法 [P]. 
甘世宇 ;
张依容 ;
牛利 ;
钟丽杰 .
中国专利 :CN115389589A ,2022-11-25
[3]
一种固态钙离子选择性电极及其制备方法 [P]. 
甘世宇 ;
张依容 ;
牛利 ;
钟丽杰 .
中国专利 :CN115389589B ,2025-02-21
[4]
离子选择性电极用感应膜 [P]. 
中村善昭 ;
宫本浩久 .
中国专利 :CN102472720A ,2012-05-23
[5]
一种离子选择性电极敏感膜及其制备方法 [P]. 
石从云 ;
徐锦洋 ;
王小龙 ;
李昊 ;
王建东 ;
徐辉 ;
陈澳 ;
杜晨飞 .
中国专利 :CN118755128A ,2024-10-11
[6]
一种钙离子选择性响应电极敏感膜及其制备方法 [P]. 
李擎 ;
孙鹏瑶 ;
曹芮 ;
付宇 ;
廖祥林 ;
蒋占军 ;
吕运昌 ;
杜莹 ;
张玉珍 .
中国专利 :CN116178860B ,2024-10-18
[7]
离子选择电极敏感膜、其制备方法及包括其的离子选择性电极 [P]. 
王鹏 ;
张国联 .
中国专利 :CN108593745B ,2018-09-28
[8]
一种基于钙锰氧化物的固态钙离子选择性电极的制备方法 [P]. 
甘世宇 ;
张依容 ;
牛利 ;
钟丽杰 .
中国专利 :CN115541683A ,2022-12-30
[9]
一种基于钙锰氧化物的固态钙离子选择性电极的制备方法 [P]. 
甘世宇 ;
张依容 ;
牛利 ;
钟丽杰 .
中国专利 :CN115541683B ,2025-01-07
[10]
一种镁离子选择性电极 [P]. 
刘辉 ;
高东升 ;
汪桦君 ;
苏杭 ;
王小龙 .
中国专利 :CN102866190B ,2013-01-09