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一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置及其刻蚀方法
被引：0
申请号：
CN202210654482.7
申请日：
2022-06-10
公开(公告)号：
CN115020181A
公开(公告)日：
2022-09-06
发明(设计)人：
许海渐
王海荣
申请人：
申请人地址：
226000 江苏省南通市启东市南苑西路1188号
IPC主分类号：
H01J3732
IPC分类号：
H01L213065
H01L2167
代理机构：
代理人：
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-06 | 公开 | 公开 |
| 2022-09-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20220610 |