单晶硅中阶梯光栅的湿法刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210536724.9

申请日：

2012-12-12

公开(公告)号：

CN102981198A

公开(公告)日：

2013-03-20

发明(设计)人：

焦庆斌谭鑫巴音贺希格齐向东

申请人：

申请人地址：

130033 吉林省长春市东南湖大路3888号

IPC主分类号：

G02B518

IPC分类号：

G03F700

代理机构：

长春菁华专利商标代理事务所 22210

代理人：

陶尊新

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101438519673 IPC(主分类):G02B 5/18 专利申请号:2012105367249 申请日:20121212
2013-03-20	公开	公开
2016-03-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730188711 IPC(主分类):G02B 5/18 专利申请号:2012105367249 申请公布日:20130320

共 50 条

[1]

确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法 [P].

焦庆斌 ;

谭鑫 ;

巴音贺希格 ;

齐向东 .

中国专利 :CN103344716A ,2013-10-09

[2]

一种全息曝光-湿法刻蚀中阶梯光栅的制备方法 [P].

杨子江 ;

潘俏 ;

吴绍龙 ;

刘全 ;

沈为民 .

中国专利 :CN115657183A ,2023-01-31

[3]

制作中阶梯光栅的方法 [P].

赵玉新 ;

赵珍阳 ;

赵英勃 .

中国专利 :CN117452535A ,2024-01-26

[4]

单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置 [P].

程鹏飞 ;

龚双龙 ;

全余生 .

中国专利 :CN102605372A ,2012-07-25

[5]

单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置 [P].

程鹏飞 ;

龚双龙 ;

全余生 .

中国专利 :CN201962364U ,2011-09-07

[6]

层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法 [P].

刘东方 ;

曾煌 ;

张伟 ;

王聪 ;

李纪周 ;

陈小源 .

中国专利 :CN108242477B ,2018-07-03

[7]

单晶硅的制备方法和单晶硅 [P].

张玲玲 ;

张华利 ;

周声浪 ;

陈宗霆 ;

宋亚飞 ;

周洁 .

中国专利 :CN119753819A ,2025-04-04

[8]

单晶硅的制造方法及单晶硅 [P].

横山龙介 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17

[9]

一种单晶硅的刻蚀方法及刻蚀液 [P].

黄仕华 ;

金日升 ;

李兴达 .

中国专利 :CN110416074A ,2019-11-05

[10]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

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