环境友善的去除光刻胶组成物以及其使用方法

被引：0

申请号：

CN202210875214.8

申请日：

2022-07-25

公开(公告)号：

CN115685700A

公开(公告)日：

2023-02-03

发明(设计)人：

沙升骏游宏钧游丰兆张恩铭

申请人：

申请人地址：

中国台湾台北市中正区重庆南路2段51号15楼

IPC主分类号：

G03F742

IPC分类号：

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统 [P].

赵仲平 ;

张文龙 ;

戴茂春 ;

淮赛男 ;

周宇 .

中国专利 :CN113721430B ,2021-11-30

[2]

光刻胶组成物及其图案化方法 [P].

成始震 ;

李相行 ;

金相泰 .

中国专利 :CN101501570B ,2009-08-05

[3]

正性光刻胶组成物及其制备方法 [P].

杨洪 ;

赵晓芳 ;

郭玲香 ;

林保平 .

中国专利 :CN102402119A ,2012-04-04

[4]

半导体光刻胶组成物和使用该组成物形成图案的方法 [P].

金铃根 .

韩国专利 :CN120491387A ,2025-08-15

[5]

光刻胶组合物及其使用方法 [P].

邓华云 ;

金宇辉 ;

李阳 ;

钮渭钧 ;

王军 .

美国专利 :CN120831866A ,2025-10-24

[6]

半导体光刻胶组成物和使用该组成物形成图案的方法 [P].

林秀斌 ;

金铃根 ;

金旻惠 ;

姜锡一 ;

柳东完 .

韩国专利 :CN120686537A ,2025-09-23

[7]

光刻胶及其使用方法 [P].

G·珀勒斯 .

中国专利 :CN102201333A ,2011-09-28

[8]

半导体光刻胶组成物和使用该组成物形成图案的方法 [P].

成太根 ;

林雪熙 ;

张水民 ;

辛乘旭 ;

徐也隐 ;

李忠宪 .

韩国专利 :CN120540004A ,2025-08-26

[9]

半导体光刻胶组成物及使用该组成物形成图案的方法 [P].

任相均 ;

金铃根 ;

文成日 ;

司空峻 .

韩国专利 :CN121232525A ,2025-12-30

[10]

半导体光刻胶组成物和使用该组成物形成图案的方法 [P].

张水民 ;

林秀斌 ;

蔡闰珠 ;

韩俊熙 ;

李贤 ;

金智敏 ;

金经睦 ;

柳东完 ;

千玟基 .

韩国专利 :CN121232523A ,2025-12-30

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