一种由磁控溅射制备纳米多孔铜薄膜材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610071243.3

申请日：

2016-02-01

公开(公告)号：

CN105543796B

公开(公告)日：

2016-05-04

发明(设计)人：

司鹏超孙挥

申请人：

申请人地址：

250061 山东省济南市历下区经十路17923号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1458 C23C1416 C22C300 C22C108 C23F120

代理机构：

济南圣达知识产权代理有限公司 37221

代理人：

曹丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662923807 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2016100712433 申请日:20160201
2016-05-04	公开	公开
2018-03-27	授权	授权

共 50 条

[1]

纳米多孔铜薄膜的制备方法 [P].

苏江滨 ;

蒋美萍 ;

王红红 .

中国专利 :CN103014626B ,2013-04-03

[2]

一种磁控溅射制备纳米多孔金属薄膜的方法 [P].

李晓军 ;

刘颖 ;

赵修臣 ;

褚卫国 ;

江鹏 ;

宋志伟 .

中国专利 :CN104451547A ,2015-03-25

[3]

一种改进的纳米多孔铜薄膜及其制备方法 [P].

刘洁 ;

潘登 .

中国专利 :CN104789934A ,2015-07-22

[4]

纳米多孔铜的制备方法 [P].

秦春玲 ;

赵维民 ;

王志峰 ;

刘慧 ;

贾俊清 .

中国专利 :CN102943187B ,2013-02-27

[5]

一种纳米多孔铜的制备方法 [P].

张忠华 ;

赵长春 ;

祁振 ;

王孝广 .

中国专利 :CN101590528A ,2009-12-02

[6]

一种超精细纳米多孔铜膜的制备方法 [P].

胡义锋 ;

吴兆虎 ;

陈玉洁 .

中国专利 :CN108385069B ,2018-08-10

[7]

一种纳米多孔铜粉末的制备方法 [P].

王艳 ;

张忠华 ;

寇天一 .

中国专利 :CN102363217A ,2012-02-29

[8]

纳米多孔铜的制备方法 [P].

孟跃峰 ;

熊伦乔 ;

刘元峰 ;

侯泽成 ;

付红颖 ;

朱琳 ;

李文珍 .

中国专利 :CN109988932A ,2019-07-09

[9]

一种制备纳米多孔铜的方法 [P].

秦春玲 ;

赵维民 ;

王志峰 ;

刘丽 ;

肖同娜 .

中国专利 :CN103343253A ,2013-10-09

[10]

一种纳米多孔铜的制备方法 [P].

段云彪 ;

颜修兴 ;

胡劲 ;

吴家乐 ;

周玉鑫 ;

王开军 ;

张维均 ;

王恺钊 ;

邓华铭 ;

陈天友 ;

韦文皓 .

中国专利 :CN114657626A ,2022-06-24

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