一种衬底偏置混频器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710119121.8

申请日：

2007-07-16

公开(公告)号：

CN101083450B

公开(公告)日：

2007-12-05

发明(设计)人：

张晓林宋丹张展夏温博

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路37号

IPC主分类号：

H03D714

IPC分类号：

代理机构：

北京永创新实专利事务所 11121

代理人：

周长琪

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101514746506 IPC(主分类):H03D 7/14 专利号:ZL2007101191218 申请日:20070716 授权公告日:20100602 终止日期:20120716
2010-06-02	授权	授权
2008-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-12-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器 [P].

张晓林 ;

申晶 .

中国专利 :CN102611392B ,2012-07-25

[2]

一种衬底偏置电路 [P].

赖练章 ;

马文鑫 .

中国专利 :CN216649654U ,2022-05-31

[3]

一种混频器优化电路 [P].

孙志刚 ;

李罗生 .

中国专利 :CN106911306A ,2017-06-30

[4]

偏置无源混频器 [P].

G·L·小布朗 .

中国专利 :CN109314536A ,2019-02-05

[5]

自适应偏置混频器 [P].

Z·徐 ;

P·－M·D·周 ;

M·C·F·争 .

中国专利 :CN1744428A ,2006-03-08

[6]

基于衬底偏置效应的多位存算一体SRAM及实现方法 [P].

胡绍刚 ;

黄知达 ;

邓阳杰 ;

刘洋 ;

于奇 .

中国专利 :CN110277121B ,2019-09-24

[7]

具有衬底偏置方案的半导体装置结构 [P].

安东尼·K·史塔佩尔 ;

M·J·阿布-哈利勒 ;

约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 ;

兰迪·沃夫 ;

亚文·J·乔瑟夫 ;

阿龙·瓦莱特 .

中国专利 :CN114597261A ,2022-06-07

[8]

低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器 [P].

宋睿丰 ;

张国艳 ;

廖怀林 ;

黄如 .

中国专利 :CN100438327C ,2005-11-16

[9]

冯程程 ;

胡少坚 .

中国专利 :CN101944882A ,2011-01-12

[10]

偏置电压生成电路、方法及无源混频器 [P].

许灵军 ;

王大鹏 ;

李男 ;

丁海煜 ;

黄宇红 .

中国专利 :CN114172461A ,2022-03-11

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