晶圆刻蚀系统及晶圆刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811580776.X

申请日：

2018-12-24

公开(公告)号：

CN109698147A

公开(公告)日：

2019-04-30

发明(设计)人：

梁梦诗聂钰节

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L2166

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

焦天雷

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-15	授权	授权
2019-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20181224
2019-04-30	公开	公开

共 50 条

[1]

晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法 [P].

李丹 ;

高英哲 ;

张文福 ;

刘家桦 ;

叶日铨 .

中国专利 :CN109950180A ,2019-06-28

[2]

晶圆刻蚀方法 [P].

鞠小晶 ;

叶联 ;

车东晨 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN117672843A ,2024-03-08

[3]

晶圆刻蚀方法 [P].

张海苗 ;

林源为 ;

崔咏琴 ;

唐希文 .

中国专利 :CN113539816A ,2021-10-22

[4]

晶圆刻蚀方法 [P].

连庆庆 ;

刘海龙 ;

朱瑞苹 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN113451126A ,2021-09-28

[5]

晶圆刻蚀方法 [P].

连庆庆 ;

刘海龙 ;

朱瑞苹 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN113451126B ,2024-02-27

[6]

晶圆刻蚀方法 [P].

刘浩 .

中国专利 :CN120033075A ,2025-05-23

[7]

晶圆刻蚀方法 [P].

张海苗 ;

林源为 ;

崔咏琴 ;

唐希文 .

中国专利 :CN113539816B ,2025-09-16

[8]

晶圆刻蚀方法 [P].

何鹏飞 ;

杨啸 .

中国专利 :CN119943670A ,2025-05-06

[9]

一种晶圆刻蚀设备及晶圆刻蚀方法 [P].

刘希飞 ;

刘家桦 ;

叶日铨 .

中国专利 :CN109473378A ,2019-03-15

[10]

斜面刻蚀装置及晶圆刻蚀方法 [P].

戴绍龙 ;

肖正梨 ;

胡军 .

中国专利 :CN108666244A ,2018-10-16

← 1 2 3 4 5 →