一种高强度高导电碳纳米管复合薄膜及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111522137.X
申请日
2021-12-13
公开(公告)号
CN114150354A
公开(公告)日
2022-03-08
发明(设计)人
卢倩 赵静娜 李清文
申请人
申请人地址
215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
IPC主分类号
C25D554
IPC分类号
C25D348 C25D350 C25D908 C25D706 B82Y4000
代理机构
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
王茹
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
高导电、高强度金属化碳纳米管薄膜及其制备方法 [P]. 
吕卫帮 ;
杨文刚 ;
席佳琦 ;
曲抒旋 ;
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中国专利 :CN115787008B ,2025-03-28
[2]
高强度碳纳米管/碳化硼复合薄膜及其制备方法与应用 [P]. 
胡东梅 ;
徐麒 ;
吕争强 ;
李长伟 ;
董世香 ;
谢昊圃 .
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[3]
具有高强度天然橡胶/碳纳米管导电复合薄膜的制备方法 [P]. 
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谢凌翔 ;
徐朝辉 ;
蒋艳芳 ;
张齐生 .
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[4]
一种碳纳米管复合薄膜的制备方法及其制备的碳纳米管复合薄膜 [P]. 
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[5]
碳纳米管复合薄膜及其制备方法 [P]. 
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[6]
大直径、高取向、高强度碳纳米管纤维及其制备方法 [P]. 
蹇木强 ;
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邵元龙 ;
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[7]
高强度透明高导电性自支持碳纳米管超薄膜及其制备方法 [P]. 
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[8]
碳纳米管复合柔性导电薄膜及其制备方法 [P]. 
谭化兵 ;
潘智军 ;
王锋 .
中国专利 :CN111462941A ,2020-07-28
[9]
碳纳米管复合薄膜的制备方法、碳纳米管TFT及其制备方法 [P]. 
谢华飞 .
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[10]
碳纳米管导电薄膜及其制备方法 [P]. 
陈克勇 ;
朱文峰 ;
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