双端口RAM的读写控制电路、方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810008193.X

申请日：

2008-02-18

公开(公告)号：

CN101226767A

公开(公告)日：

2008-07-23

发明(设计)人：

赵宇翔王小璐

申请人：

申请人地址：

518129广东省深圳市龙岗区坂田华为基地总部办公楼

IPC主分类号：

G11C722

IPC分类号：

G11C812 G11C810

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司

代理人：

申健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-23	公开	公开
2010-06-09	授权	授权
2021-05-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G11C 7/22 登记生效日:20210427 变更事项:专利权人变更前权利人:华为技术有限公司变更后权利人:荣耀终端有限公司变更事项:地址变更前权利人:518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为基地总部办公楼变更后权利人:518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道东海社区红荔西路8089号深业中城6号楼A单元3401
2008-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

电能控制电路、读写电路及存储器 [P].

张重达 ;

佘一奇 .

中国专利 :CN119943100B ,2025-06-10

[2]

电能控制电路、读写电路及存储器 [P].

张重达 ;

佘一奇 .

中国专利 :CN119943100A ,2025-05-06

[3]

读写控制电路及读写控制方法 [P].

粘为进 ;

马银芳 ;

张帆 ;

王鑫鑫 .

中国专利 :CN117724600A ,2024-03-19

[4]

一种双端口存储器的读写控制电路 [P].

秋小强 ;

杨海钢 .

中国专利 :CN103730149B ,2014-04-16

[5]

伪双端口RAM的读写控制方法、装置、设备以及存储介质 [P].

林利昕 ;

郭宇辉 ;

原嵩 ;

刘永顺 ;

黄栩祥 ;

赵振文 ;

齐靖靖 ;

赵如意 ;

王浩宇 ;

张书阳 .

中国专利 :CN120015075A ,2025-05-16

[6]

伪双端口SRAM的读写控制方法及装置 [P].

洪志博 ;

蔡晔 .

中国专利 :CN117917735B ,2024-05-31

[7]

伪双端口SRAM的读写控制方法及装置 [P].

洪志博 ;

蔡晔 .

中国专利 :CN117917735A ,2024-04-23

[8]

双端口SRAM的时序控制电路 [P].

钱一骏 .

中国专利 :CN104733039A ,2015-06-24

[9]

调试端口控制电路 [P].

比约纳·赫内斯 ;

贝伦德·德肯斯 ;

哈康·普雷斯特加德 ;

汉努·科维兰塔 .

:CN118251673A ,2024-06-25

[10]

读写控制电路 [P].

潘亚军 ;

葛婷 .

中国专利 :CN102915287A ,2013-02-06

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