顶浮栅范德华异质结器件及其制备方法、光电存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910408844.2

申请日：

2019-05-16

公开(公告)号：

CN110323223A

公开(公告)日：

2019-10-11

发明(设计)人：

何军黄文浩尹蕾

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村北一条11号

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L218239 G11C1142 B82Y4000

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

王庆龙;李相雨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/105 申请日:20190516
2019-10-11	公开	公开
2022-06-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/105 申请公布日:20191011

共 50 条

[1]

非对称范德华异质结器件、其制备方法及用途 [P].

何军 ;

程瑞清 ;

王峰 .

中国专利 :CN109004016B ,2018-12-14

[2]

一种范德华异质结器件及其制备方法和应用 [P].

何军 ;

尹蕾 ;

程瑞清 ;

王振兴 ;

王峰 .

中国专利 :CN109390388A ,2019-02-26

[3]

浮栅存储器件及其控制方法、3D存储器件与2D存储器件 [P].

杨盛玮 ;

韩坤 .

中国专利 :CN109461736A ,2019-03-12

[4]

一种双层浮栅柔性有机存储器件及其制备方法 [P].

唐莹 ;

马力超 ;

彭应全 ;

韦一 .

中国专利 :CN105576124A ,2016-05-11

[5]

存储器件及其制备方法 [P].

陈涛 .

中国专利 :CN113035775A ,2021-06-25

[6]

存储器件及其制备方法 [P].

卢经文 .

中国专利 :CN116156869B ,2025-11-21

[7]

浮栅存储器及其制备方法以及逻辑器件 [P].

王昊 ;

郭辉 ;

杨海涛 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN117794245A ,2024-03-29

[8]

浮栅型半导体存储器件及其制造方法 [P].

韩坰录 .

中国专利 :CN102569303A ,2012-07-11

[9]

二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法 [P].

陈秋兰 ;

赖浩杰 ;

谢伟广 ;

周洋 ;

刘虔铖 ;

金浩宇 ;

庞娜娜 ;

郭静玉 .

中国专利 :CN114420846A ,2022-04-29

[10]

一种波导集成的范德华异质结器件制备方法 [P].

李宁 ;

王嘉成 ;

贺婷 ;

胡伟达 .

中国专利 :CN118016768B ,2024-08-16

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