具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910039821.9

申请日：

2019-01-16

公开(公告)号：

CN110060995A

公开(公告)日：

2019-07-26

发明(设计)人：

G.内鲍尔

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫西门子大街2号

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L27088 G01R1900 G01R3126

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

陈晓;申屠伟进

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-26	公开	公开
2020-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20190116

共 50 条

[1]

具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管装置 [P].

G.内鲍尔 .

:CN110060995B ,2024-08-09

[2]

具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置 [P].

A.芬尼 ;

C.M.博扬恰努 .

中国专利 :CN111739886A ,2020-10-02

[3]

感测晶体管单元嵌入的电流感测晶体管 [P].

斯特芬·蒂伦 ;

安德烈亚斯·迈塞尔 ;

马库斯·曾德尔 .

中国专利 :CN103545349A ,2014-01-29

[4]

耦合到多个感测晶体管的功率晶体管 [P].

K·约达尔 ;

M·朱 ;

V·克里希纳穆尔蒂 ;

T·哈约诺 ;

A·乔汉 ;

V·赫格德 ;

M·斯里瓦斯塔瓦 .

美国专利 :CN113169155B ,2025-03-11

[5]

耦合到多个感测晶体管的功率晶体管 [P].

K·约达尔 ;

M·朱 ;

V·克里希纳穆尔蒂 ;

T·哈约诺 ;

A·乔汉 ;

V·赫格德 ;

M·斯里瓦斯塔瓦 .

中国专利 :CN113169155A ,2021-07-23

[6]

光感测晶体管 [P].

戴亚翔 ;

袁一程 ;

林辰余 .

中国专利 :CN118571975A ,2024-08-30

[7]

晶体管和晶体管的制造方法 [P].

辻幸洋 .

日本专利 :CN118693041A ,2024-09-24

[8]

晶体管的制备方法和晶体管 [P].

熊诗圣 ;

陈佳文 .

中国专利 :CN118782639A ,2024-10-15

[9]

晶体管的制造方法和晶体管 [P].

小泉翔平 ;

杉崎敬 ;

川上雄介 .

中国专利 :CN105706220B ,2016-06-22

[10]

绝缘栅晶体管、晶体管电路、晶体管装置及晶体管的操作方法 [P].

J·M·香农 ;

E·G·格尔斯特纳 .

中国专利 :CN100385677C ,2005-09-28

← 1 2 3 4 5 →