半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580005157.2

申请日：

2005-02-10

公开(公告)号：

CN1922719B

公开(公告)日：

2007-02-28

发明(设计)人：

拉杜·C.·苏尔代亚努赫尔本·多恩博斯马库斯·J.·H.·范达尔

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-28	公开	公开
2011-05-04	授权	授权
2007-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-06-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101605006741 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2005800051572 变更事项:专利权人变更前权利人:NXP股份有限公司变更后权利人:IMEC 公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:比利时勒芬登记生效日:20130513
2007-11-21	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:皇家飞利浦电子股份有限公司变更后权利人:NXP股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:荷兰艾恩德霍芬登记生效日:20071019

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

李制勳 ;

金恩贤 ;

申相原 ;

李恩荣 .

中国专利 :CN105552128B ,2016-05-04

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

M·贝宁格-比纳 ;

M·哈里森 ;

P·因里希 ;

E·纳佩施尼格 ;

A·贝伦特 ;

R·哈特尔 ;

R·林德纳 .

中国专利 :CN115497907A ,2022-12-20

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

八高公一 .

中国专利 :CN102044443B ,2011-05-04

[5]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

增田健良 ;

和田圭司 ;

日吉透 .

中国专利 :CN103748688A ,2014-04-23

[6]

制造半导体器件的方法 [P].

金载宪 .

中国专利 :CN101174584A ,2008-05-07

[7]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

小川裕之 ;

有吉润一 .

中国专利 :CN104637796A ,2015-05-20

[8]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

砂村润 ;

金子贵昭 ;

古武直也 ;

齐藤忍 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103681673A ,2014-03-26

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

陈永凯 .

美国专利 :CN117410829A ,2024-01-16

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

天羽生淳 .

日本专利 :CN110246845B ,2024-06-21

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