氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210586802.6

申请日：

2012-12-28

公开(公告)号：

CN103426934A

公开(公告)日：

2013-12-04

发明(设计)人：

柳尚希

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L23544 H01L21336 H01L2712 H01L2184

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

丁香兰;庞东成

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-04	公开	公开
2016-05-25	授权	授权
2013-12-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101558126397 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2012105868026 申请日:20121228

共 50 条

[1]

氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

楼均辉 ;

霍思涛 ;

姜文鑫 .

中国专利 :CN103928530A ,2014-07-16

[2]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置 [P].

段献学 ;

白明基 .

中国专利 :CN102956714A ,2013-03-06

[3]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

黄梦 ;

文国哲 .

中国专利 :CN108288650B ,2018-07-17

[4]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

竺立强 ;

刘锐 ;

肖惠 ;

付杨明 .

中国专利 :CN108807546B ,2018-11-13

[5]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

金焕 ;

赵兴烈 ;

吴泰英 ;

郑至恩 .

中国专利 :CN102820319B ,2012-12-12

[6]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

舒芳安 ;

辛哲宏 ;

黄松辉 ;

陈礼廷 ;

张永升 .

中国专利 :CN102237411A ,2011-11-09

[7]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

林训 ;

金大焕 .

中国专利 :CN102244005A ,2011-11-16

[8]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

裵钟旭 ;

徐铉植 ;

金勇烨 .

中国专利 :CN101901787B ,2010-12-01

[9]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

金大焕 ;

崔秉国 ;

李瑟 ;

林训 .

中国专利 :CN102543754A ,2012-07-04

[10]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

裵钟旭 .

中国专利 :CN104157693A ,2014-11-19

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