功率器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810965687.0
申请日
2018-08-23
公开(公告)号
CN109087951A
公开(公告)日
2018-12-25
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市罗湖区莲塘街道罗沙路四季御园8座902
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336
代理机构
深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504
代理人
马世中
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
功率器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109119480A ,2019-01-01
[2]
SiC功率器件及其制备方法 [P]. 
吴贤勇 ;
杨顺舟 ;
陈国鑫 .
中国专利 :CN117673157A ,2024-03-08
[3]
功率器件及其制造方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109166927A ,2019-01-08
[4]
功率器件及其制备方法 [P]. 
杨旭刚 ;
田月姣 .
中国专利 :CN120916460A ,2025-11-07
[5]
功率器件及其制备方法 [P]. 
王培林 .
中国专利 :CN106024780A ,2016-10-12
[6]
功率器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109449209A ,2019-03-08
[7]
屏蔽栅功率器件制造方法及其功率器件 [P]. 
张蕾 ;
谭艳琼 ;
陈正嵘 ;
丁佳 ;
钱佳成 ;
李志国 ;
吴长明 .
中国专利 :CN113223949B ,2021-08-06
[8]
MOS功率器件及其制备方法 [P]. 
秦博 ;
吴海平 .
中国专利 :CN114695530A ,2022-07-01
[9]
功率器件的终端结构、功率器件及其制造方法 [P]. 
陈天 ;
顾勇 ;
于绍欣 ;
张旭 ;
廖永亮 .
中国专利 :CN107452788A ,2017-12-08
[10]
一种GaN功率器件及其制备方法 [P]. 
汪可 ;
赵志远 .
中国专利 :CN117810257A ,2024-04-02