半导体器件、半导体激光器以及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780066019.8

申请日：

2017-09-15

公开(公告)号：

CN109923743B

公开(公告)日：

2019-06-21

发明(设计)人：

村山雅洋

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01S522

IPC分类号：

H01S5042

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	授权	授权
2019-06-21	公开	公开
2019-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/22 申请日:20170915

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法、半导体器件、通信设备和半导体激光器 [P].

谷口英广 ;

行谷武 ;

片山悦治 .

中国专利 :CN101868888B ,2010-10-20

[2]

半导体激光器件制造方法和半导体激光器件 [P].

竹冈忠士 ;

石仓卓郎 .

中国专利 :CN100585968C ,2006-05-17

[3]

半导体激光器件和半导体激光器件制造方法 [P].

丹下贵志 ;

冨谷茂隆 .

中国专利 :CN102714393A ,2012-10-03

[4]

半导体器件及半导体激光器 [P].

藤井就亮 ;

木村达也 .

中国专利 :CN1119795A ,1996-04-03

[5]

半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置 [P].

别所靖之 ;

言水孝二 ;

清水源 ;

三桥大树 ;

太田洁 .

中国专利 :CN101958508A ,2011-01-26

[6]

半导体激光器元件和半导体激光器器件 [P].

今西大介 .

中国专利 :CN101882755A ,2010-11-10

[7]

用于制造半导体激光器器件的方法及半导体激光器器件 [P].

滨口达史 ;

高木慎平 .

中国专利 :CN103959579A ,2014-07-30

[8]

半导体激光器器件和用于制造半导体激光器器件的方法 [P].

安德烈亚斯·武伊齐克 ;

胡贝特·哈尔布里特 ;

托马斯·施瓦茨 .

中国专利 :CN110710070A ,2020-01-17

[9]

半导体激光器件 [P].

阿部真司 ;

八木哲哉 ;

宫下宗治 ;

西口晴美 ;

大仓裕二 ;

笠井信之 ;

田代贺久 ;

谷村纯二 .

中国专利 :CN1392641A ,2003-01-22

[10]

半导体激光器件 [P].

堀口武 ;

池原正博 ;

鸟松文夫 .

中国专利 :CN100505446C ,2007-04-04

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