高集成度表面等离子体共振传感器系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110674358.2

申请日：

2021-06-17

公开(公告)号：

CN113406017A

公开(公告)日：

2021-09-17

发明(设计)人：

邓仕杰唐鹏程苑立波

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市桂林金鸡路1号

IPC主分类号：

G01N2125

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/25 申请日:20210617
2021-09-17	公开	公开

共 50 条

[1]

表面等离子体共振传感器用芯片和表面等离子体共振传感器 [P].

松下智彦 ;

山下英之 ;

西川武男 ;

中村惠子 ;

莲井亮介 ;

青山茂 .

中国专利 :CN101395462A ,2009-03-25

[2]

一种表面等离子体共振传感器 [P].

沈海滨 .

中国专利 :CN202916194U ,2013-05-01

[3]

一种表面等离子体共振传感器 [P].

闫其庚 ;

王斯媛 ;

谢英 ;

闫正 ;

吕佳琪 ;

刘紫倩 ;

韩丽嫒 .

中国专利 :CN221782116U ,2024-09-27

[4]

一种表面等离子体共振传感器 [P].

黄田野 ;

赵翔 .

中国专利 :CN108132232A ,2018-06-08

[5]

一种表面等离子体共振传感器 [P].

黄田野 ;

赵翔 .

中国专利 :CN207816820U ,2018-09-04

[6]

高精细度腔表面等离子体共振传感装置 [P].

高秀敏 ;

王健 .

中国专利 :CN101294900B ,2008-10-29

[7]

表面等离子体共振传感器及该传感器用芯片 [P].

西川武男 ;

松下智彦 ;

山下英之 ;

莲井亮介 ;

藤田悟史 ;

奥野雄太郎 ;

青山茂 .

中国专利 :CN101261227A ,2008-09-10

[8]

表面等离子体共振传感器中的表面等离子体光谱术方法及其所用元件 [P].

J·霍莫拉 ;

O·捷列日尼科夫 ;

J·多斯塔尔克 .

中国专利 :CN101175989B ,2008-05-07

[9]

表面等离子体共振光谱传感器 [P].

高秀敏 ;

王健 .

中国专利 :CN101324523A ,2008-12-17

[10]

长程表面等离子体共振传感器及制备方法 [P].

褚立强 ;

王磊 .

中国专利 :CN104697961A ,2015-06-10

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