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MOS晶体管及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010606342.X
申请日：
2010-12-24
公开(公告)号：
CN102544095B
公开(公告)日：
2012-07-04
发明(设计)人：
于伟泽
尹海洲
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2943
H01L2941
H01L21336
H01L2128
H01L21265
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
逯长明;王宝筠
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2012-07-04 | 公开 | 公开 |
| 2014-10-22 | 授权 | 授权 |
| 2012-10-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101331113979 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201010606342X 申请日:20101224 |
| 2022-05-17 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20220507 变更事项:专利权人 变更前权利人:澳芯集成电路技术（广东）有限公司 变更后权利人:锐立平芯微电子（广州）有限责任公司 变更事项:地址 变更前权利人:510000 广东省广州市黄浦区开源大道136号A栋601 变更后权利人:510000 广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室 |
| 2021-01-01 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20201222 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院微电子研究所 变更后权利人:澳芯集成电路技术（广东）有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号 变更后权利人:510000 广东省广州市黄浦区开源大道136号A栋601 |